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1. (WO2014125751) シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125751    国際出願番号:    PCT/JP2013/085065
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 27.12.2013
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: TAKENO, Hiroshi; (JP)
代理人: ISHIHARA, Shinsuke; c/o ISHIHARA & COMPANY,p.c., 2F Segawa-Ikebukuro Bldg., 14-10, Minami-Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 1710022 (JP)
優先権情報:
2013-027242 15.02.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MEASURING RECOMBINATION LIFETIME OF SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE DURÉE DE VIE DE RECOMBINAISON DE SUBSTRAT EN SILICIUM
(JA) シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法
要約: front page image
(EN)Provided is a method for measuring a recombination lifetime of a silicon substrate with which metal contamination or crystal defect occurring in a silicon substrate producing process or a device producing process can be evaluated at a high accuracy. This method is a method for measuring a recombination lifetime after chemical passivation processing is carried out with respect to a surface of a silicon substrate, wherein during a period from the chemical passivation processing up to when the measurement of the recombination lifetime is completed, at least ultraviolet protection processing for protecting the silicon substrate from ultraviolet rays is carried out.
(FR)L'invention concerne un procédé de mesure d'une durée de vie de recombinaison d'un substrat en silicium avec lequel une contamination métallique ou un défaut cristallin se produisant dans un processus de fabrication de substrat en silicium ou un processus de fabrication de dispositif peut être évalué avec une précision élevée. Ce procédé est un procédé de mesure d'une durée de vie de recombinaison après traitement de passivation chimique qui est effectué par rapport à une surface d'un substrat en silicium, et durant une période entre le traitement de passivation chimique jusqu'à l'instant auquel la mesure de la durée de vie de recombinaison est achevée, au moins un traitement de protection contre les ultraviolets pour protéger le substrat en silicium contre des rayons ultraviolets étant réalisé.
(JA) シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染や結晶欠陥を高精度で評価することができるシリコン基板の再結合ライフタイム測定方法を提供する。 シリコン基板の表面に対してケミカルパシベーション処理を行った後に、再結合ライフタイムを測定する方法であって、前記ケミカルパシベーション処理から前記再結合ライフタイムの測定が完了するまでの間、少なくとも前記シリコン基板を紫外線から防護する紫外線防護処理が行われるようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)