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1. (WO2014125653) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125653    国際出願番号:    PCT/JP2013/058324
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 22.03.2013
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 14/42 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP)
発明者: MORIYA, Atsushi; (JP).
ISHIBASHI, Kiyohisa; (JP)
優先権情報:
2013-027703 15.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
要約: front page image
(EN)Provided is a substrate processing device equipped with: a first gas supply system which is configured so as to be capable of supplying, from first gas supply nozzles (42) to a processing chamber, a raw material gas (SiH4) of a layer to deposit to at least a portion of the surface of a substrate, and a first etching gas (CI2) which removes the layer deposited by the raw material gas; a second gas supply system which is configured so as to be capable of supplying, from second gas supply nozzles (44) to the processing chamber, a second etching gas (CI2) which removes the layer deposited by the raw material gas; and a control device (60) which, in a state in which the substrate has been conveyed into the processing chamber, performs control so as to supply the raw material gas (SiH4) from the first gas supply nozzles and to supply the second etching gas (CI2) from the second gas supply nozzles, and in a state in which the substrate does not exist in the processing chamber, controls the first gas supply system and the second gas supply system so as to supply the first etching gas (CI2) from the first gas supply nozzles.
(FR)L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui comprend : un premier système d'alimentation en gaz qui est configuré de façon à être apte à fournir, à partir de premières buses d'alimentation en gaz (42) vers une chambre de traitement, un matériau brut gazeux (SiH4) d'une couche à déposer sur au moins une partie de la surface d'un substrat, et un premier gaz de gravure (CI2) qui retire la couche déposée par le matériau brut gazeux ; un second système d'alimentation en gaz qui est configuré de façon à être apte à fournir, à partir de secondes buses d'alimentation en gaz (44) vers la chambre de traitement, un second gaz de gravure (CI2) qui retire la couche déposée par le matériau brut gazeux ; et un dispositif de commande (60) qui, dans un état dans lequel le substrat a été transporté dans la chambre de traitement, réalise une commande de façon à fournir le matériau brut gazeux (SiH4) à partir des premières buses d'alimentation en gaz et à fournir le second gaz de gravure (CI2) à partir des secondes buses d'alimentation en gaz, et dans un état dans lequel le substrat n'existe pas dans la chambre de traitement, commande le premier système d'alimentation en gaz et le second système d'alimentation en gaz de façon à fournir le premier gaz de gravure (CI2) à partir des premières buses d'alimentation en gaz.
(JA)基板の表面の少なくとも一部に堆積する膜の原料ガス(SiH)、及び、原料ガスにより堆積する膜を除去する第1エッチングガス(Cl)を第1ガス供給ノズル42から処理室に供給可能に構成される第1ガス供給系と、原料ガスにより堆積される膜を除去する第2エッチングガス(Cl)を第2ガス供給ノズル44から処理室に供給可能に構成される第2ガス供給系と、基板が処理室内に搬入された状態において、第1ガス供給ノズルから原料ガス(SiH)を供給し、第2ガス供給ノズルから第2エッチングガス(Cl)を供給するように制御し、基板が処理室内に存在しない状態において、第1ガス供給ノズルから第1エッチングガス(Cl)を供給するように第1ガス供給系及び第2ガス供給系を制御する制御装置60と、を具備する基板処理装置が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)