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1. (WO2014125586) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125586    国際出願番号:    PCT/JP2013/053439
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 13.02.2013
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
発明者: KUMAGAI, Naoki; (JP)
代理人: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 5F, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)Upon the front surface of an n+-semiconductor substrate (1) comprising a wide band gap semiconductor, an n--drift region (2) is provided. On the surface layer of the n--drift region (2), p-channel regions (3) are selectively provided. In the interior of the n--drift region (2), high-concentration p+-base regions (4) are provided so as to be in contact with the lower portions of the p-channel regions (3). In the interior of the high-concentration p+-base regions (4), n+-high-concentration regions (11) are selectively provided on the n+-semiconductor substrate (1) side. The n+-high-concentration regions (11) have a striped planar layout extending in the direction in which the high-concentration p+-base regions (4) are aligned. The n+-high-concentration regions (11) are in contact with a JFET region in one end portion of the stripe-longitudinal direction. In addition, the n+-semiconductor substrate (1)-sides of the n+-high-concentration regions (11) are in contact with a portion sandwiched between the high-concentration p+-base regions (4) and the n+-semiconductor substrate (1) among the n--drift regions (2).
(FR)Selon l'invention, sur la surface avant d'un substrat de semi-conducteur n+ (1) comprenant un semi-conducteur à large bande interdite, une région de dérive n- (2) est agencée. Sur la couche de surface de la région de dérive n- (2), des régions de canal de type p (3) sont agencées de manière sélective. A l'intérieur de la région de dérive n- (2), des régions de base de type p+ à concentration élevée (4) sont agencées de façon à être en contact avec les parties inférieures des régions de canal de type p (3). A l'intérieur des régions de base de type p+ à concentration élevée (4), des régions à concentration élevée de n+ (11) sont agencées de manière sélective sur le côté substrat de semi-conducteur n+ (1). Les régions à concentration élevée de n+ (11) ont une forme plane en bande s'étendant dans la direction dans laquelle les régions de base de type p+ à concentration élevée (4) sont alignées. Les régions à concentration élevée de n+ (11) sont en contact avec une région de JFET dans une partie d'extrémité de la direction longitudinale de bande. De plus, les côtés de substrat de semi-conducteur n+ (1) des régions à concentration élevée de n+ (11) sont en contact avec une partie prise en sandwich entre les régions de base de type p+ à concentration élevée (4) et le substrat de semi-conducteur n+ (1) parmi les régions de dérive n- (2).
(JA) ワイドバンドギャップ半導体からなるn+半導体基板(1)のおもて面上には、n-ドリフト領域(2)が設けられている。n-ドリフト領域(2)の表面層にはpチャネル領域(3)が選択的に設けられている。n-ドリフト領域(2)の内部には、pチャネル領域(3)の下部に接するように高濃度p+ベース領域(4)が設けられている。高濃度p+ベース領域(4)の内部には、n+半導体基板(1)側にn+高濃度領域(11)が選択的に設けられている。n+高濃度領域(11)は、高濃度p+ベース領域(4)が並ぶ方向に延びるストライプ状の平面レイアウトを有する。n+高濃度領域(11)は、ストライプ長手方向の一方の端部においてJFET領域に接する。また、n+高濃度領域(11)のn+半導体基板(1)側は、n-ドリフト領域(2)のうち、高濃度p+ベース領域(4)とn+半導体基板(1)とに挟まれた部分に接する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)