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1. (WO2014125550) SiCエピタキシャルウエハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/125550    国際出願番号:    PCT/JP2013/007619
国際公開日: 21.08.2014 国際出願日: 26.12.2013
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C30B 29/36 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: TOMITA, Nobuyuki; (JP).
MITANI, Yoichiro; (JP).
TANAKA, Takanori; (JP).
KAWABATA, Naoyuki; (JP).
TOYODA, Yoshihiko; (JP).
KUROIWA, Takeharu; (JP).
HAMANO, Kenichi; (JP).
ONO, Akihito; (JP).
OCHI, Junji; (JP).
KAWAZU, Zempei; (JP)
代理人: TAKAHASHI, Shogo; c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division, 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
優先権情報:
2013-025800 13.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SIC EPITAXIAL WAFER PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE EN SIC
(JA) SiCエピタキシャルウエハの製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a SiC epitaxial wafer production method with which, when inducing SiC epitaxial growth at a first temperature and a second temperature, the formation of surface imperfections during temperature increase, such as step bunching, can be inhibited. The present invention is provided with: a first step in which a Si supply gas and a C supply gas are supplied to a top of a SiC bulk substrate having, as a main surface thereof, 4H-SiC(0001) having an off angle of less than 5˚, and first epitaxial growth is induced at a first temperature in the range of 1480˚C to 1530˚C inclusive; a second step in which supply of the Si supply gas and the C supply gas is stopped, and the temperature of the SiC bulk substrate is increased from the first temperature to a second temperature; and a third step in which the Si supply gas and the C supply gas are supplied to the top of the SiC bulk substrate having had the temperature thereof increased in the second step, and second epitaxial growth is induced at the second temperature.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de tranche épitaxiale en SiC avec lequel, lors de l'induction d'une croissance épitaxiale de SiC à une première température et à une seconde température, la formation d'imperfections de surface durant une augmentation de température, telle que durant un groupement d'étapes, peut être évitée. La présente invention comprend : une première étape dans laquelle un gaz d'alimentation en Si et un gaz d'alimentation en C sont fournis sur une surface supérieure d'un substrat massif en SiC ayant, en tant que surface principale de celui-ci, du 4H-SiC(0001) ayant un angle de coupure de moins de 5°, et une première croissance épitaxiale est induite à une première température dans la plage de 1480°C à 1530°C inclus ; une deuxième étape dans laquelle l'alimentation du gaz d'alimentation en Si et du gaz d'alimentation en C est arrêtée, et la température du substrat massif en SiC est augmentée de la première température vers une seconde température ; et une troisième étape dans laquelle le gaz d'alimentation en Si et le gaz d'alimentation en C sont fournis sur la surface supérieure du substrat massif en SiC dont la température a augmenté dans la deuxième étape, et une seconde croissance épitaxiale est induite à la seconde température.
(JA) SiCエピタキシャル成長を第1の温度と第2の温度で行う際に、昇温中のステップバンチング等の表面欠陥の発生を抑制できるSiCエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 5°未満のオフ角が付いた4H-SiC(0001)を主面とするSiCバルク基板上に、Si供給ガスとC供給ガスを供給し、1480℃以上1530℃以下である第1の温度で第1のエピタキシャル成長を行う第1の工程と、Si供給ガスとC供給ガスの供給を停止し、SiCバルク基板を、第1の温度から第2の温度に昇温する第2の工程と、第2の工程で昇温されたSiCバルク基板上にSi供給ガスとC供給ガスを供給し、第2の温度で第2のエピタキシャル成長を行う第3の工程とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)