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1. (WO2014123214) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123214    国際出願番号:    PCT/JP2014/052868
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 07.02.2014
IPC:
H01L 51/05 (2006.01), C07D 491/048 (2006.01), C07D 495/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: TAKAKU Koji; (JP).
SOTOYAMA Wataru; (JP).
KOYANAGI Masashi; (JP).
KINOSHITA Masaru; (JP)
代理人: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2013-022484 07.02.2013 JP
2014-020141 05.02.2014 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE EN COUCHES MINCES, COUCHE MINCE DE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
要約: front page image
(EN)This organic thin film transistor, wherein a compound represented by general formula (1) is used in a semiconductor active layer, has high carrier mobility, and low threshold voltage variation after repeated driving {X is an S or an O atom; Z is a substituent no more than 3.7 Å in length from an N atom to the terminal; and R1-R8 are hydrogen atoms or substituents. However, at least one from among R1-R8 is a substituent represented by general formula (W); L is a specific divalent linking group; R is a substituted or non-substituted alkyl group having a number of carbon atoms which is equal to or greater than a specific number (the total number of carbon atoms in the alkyl group included in -L-R is four or more), an oligooxyethylene group in which the number (v) of repeating oxyethylene units is two or more, or an oligosiloxane group having two or more silicon atoms, or a substituted or non-substituted trialkylsilyl group}.
(FR)L'invention concerne un transistor organique en couches minces, dans lequel un composé représenté par la formule générale (1) est utilisé dans une couche active de semi-conducteur, possède une mobilité de porteur élevée, et une faible variation de tension de seuil après une commande répétée {X est un atome de S ou de O ; Z est un substituant inférieur à 3,7 Å en longueur entre un atome N et la borne ; et R1 à R8 sont des atomes d'hydrogène ou des substituants. Cependant, au moins l'un parmi R1 à R8 est un substituant représenté par la formule générale (W) ; L est un groupement de liaison bivalent spécifique ; R est un groupement alkyle substitué ou non substitué ayant un nombre d'atomes de carbone qui est égal ou supérieur à un nombre spécifique (le nombre total d'atomes de carbone dans le groupement alkyle compris dans -L-R est de quatre ou plus), un groupement oligooxyéthylène dans lequel le nombre (v) d'unités de répétition d'oxyéthylène est de deux ou plus, ou un groupement oligosiloxane ayant deux atomes de silicium ou plus, ou un groupement trialkylsilyle substitué ou non substitué}.
(JA)一般式(1)で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい{XはS又はO原子;ZはN原子から末端までの長さが3.7Å以下の置換基;R~Rは水素原子又は置換基。但しR~Rのうち少なくとも1つが一般式(W)で表される置換基;Lは特定の2価の連結基;Rは特定以上の炭素数の置換または無置換のアルキル基(-L-Rに含まれるアルキル基の合計炭素数は4以上)、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基またはケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基或いは置換または無置換のトリアルキルシリル基。}。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)