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1. (WO2014123182) 多層構造体、コンデンサ素子およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123182    国際出願番号:    PCT/JP2014/052748
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 06.02.2014
IPC:
H01G 4/33 (2006.01), C23C 14/56 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP)
発明者: TSURUMI, Naoaki; (JP).
KANETAKE, Yasuo; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2013-021414 06.02.2013 JP
発明の名称: (EN) MULTI-LAYER STRUCTURE, CAPACITOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE, ÉLÉMENT CONDENSATEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
(JA) 多層構造体、コンデンサ素子およびその製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, a multi-layer structure is provided with a substrate (10), a buffer layer (12), a lower electrode (14), and a dielectric layer (16). The buffer layer is disposed on the substrate (10). The lower electrode is disposed on the buffer layer (12). The dielectric layer is disposed on the lower electrode (14) and is made of a nitride. Furthermore, a capacitor element is provided with an upper electrode (18) a first terminal electrode, and a second terminal electrode. The upper electrode (18) is disposed on the dielectric layer (16). The first terminal electrode is connected to the lower electrode (14). The second terminal electrode is connected to the upper electrode (18). The present invention provides a capacitor element having excellent high-temperature stability and a method for manufacturing the same.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure multicouche qui comprend un substrat (10), une couche tampon (12), une électrode inférieure (14) et une couche diélectrique (16). La couche tampon est disposée sur le substrat (10). L'électrode inférieure est disposée sur la couche tampon (12). La couche diélectrique est disposée sur l'électrode inférieure (14) et est composée de nitrure. En outre, un élément condensateur comprend une électrode supérieure (18), une première électrode de borne et une seconde électrode de borne. L'électrode supérieure (18) est disposée sur la couche diélectrique (16). La première électrode de borne est raccordée à l'électrode inférieure (14). La seconde électrode de borne est raccordée à l'électrode supérieure (18). La présente invention se rapporte à un élément condensateur qui présente une excellente stabilité à température élevée, et à un procédé permettant de fabriquer ce dernier.
(JA) 多層構造体は、基板(10)と、基板(10)上に配置されたバッファ層(12)と、バッファ層(12)上に配置された下部電極(14)と、下部電極(14)上に配置され、窒化物からなる誘電体層(16)とを備える。さらにコンデンサ素子は、誘電体層(16)上に配置された上部電極(18)と、下部電極(14)に接続された第1端子電極と、上部電極(18)に接続された第2端子電極とを備える。高温安定性に優れたコンデンサ素子およびその製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)