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1. (WO2014123171) GaN基板及びGaN基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123171    国際出願番号:    PCT/JP2014/052713
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 06.02.2014
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01)
出願人: NAMIKI SEIMITSU HOUSEKI KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 8-22, Shinden 3-Chome, Adachi-ku, Tokyo 1238511 (JP).
DISCO CORPORATION [JP/JP]; 13-11, Omori-Kita 2-chome, Ota-ku, Tokyo 1438580 (JP)
発明者: AIDA Hideo; (JP).
AOTA Natsuko; (JP).
IKEJIRI Kenjiro; (JP).
KIM Seongwoo; (JP).
KOYAMA Koji; (JP).
TAKEDA Hidetoshi; (JP).
UEKI Atsushi; (JP)
優先権情報:
2013-022814 08.02.2013 JP
発明の名称: (EN) GAN SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GAN SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE GAN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE GAN
(JA) GaN基板及びGaN基板の製造方法
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a technique whereby a GaN substrate, which consists of GaN crystals having a substantially uniform transfer density distribution, can be easily manufactured at a low cost and high yield without any complicated steps. [Solution] A method for manufacturing a GaN substrate, said method comprising: irradiating the inside of a single-crystal substrate with laser light to form amorphous parts within the single-crystal substrate; and then forming GaN crystals on one surface of the single-crystal substrate to give the GaN substrate. The transfer density distribution on the entire surface of the GaN substrate thus manufactured is substantially uniform. The amorphous parts are formed in multiple linear patterns relative to the planar direction of the single-crystal substrate. When the pitches among individual patterns are 0.5 mm, the volume ratio of the total volume of the amorphous parts to the volume of the single-crystal substrate is 0.10% or 0.20%. When the pitches among individual patterns are 1.0 mm, the volume ratio of the total volume of the amorphous parts to the volume of the single-crystal substrate is 0.05% or 0.10%.
(FR)L'invention a pour but de proposer une technique par laquelle un substrat de GaN, qui est composé de cristaux de GaN ayant une distribution de densité de transfert sensiblement uniforme, peut être facilement fabriqué à bas coût et à rendement élevé sans aucune étape compliquée. A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de GaN, ledit procédé consiste : à irradier l'intérieur d'un substrat de monocristaux par une lumière laser pour former des parties amorphes dans le substrat de monocristaux puis à former des cristaux de GaN sur une surface du substrat de monocristaux afin de donner le substrat de GaN. La distribution de densité de transfert sur la surface entière du substrat de GaN ainsi fabriqué est sensiblement uniforme. Les parties amorphes sont formées dans de multiples motifs linéaires par rapport à la direction planaire du substrat de monocristaux. Lorsque les pas parmi les motifs individuels sont de 0,5 mm, le rapport volumique du volume total des parties amorphes au volume du substrat de monocristaux est de 0,10 % ou de 0,20 %. Lorsque les pas parmi les motifs individuels sont de 1,0 mm, le rapport volumique entre du volume total des parties amorphes au volume du substrat de monocristaux est de 0,05 % ou de 0,10 %.
(JA)【課題】転位密度の分布が実質的に均一なGaN結晶から成るGaN基板を、複雑な工程を用いることなく簡単に低コストで、且つ高歩留まりで製造できる技術を提供する。 【解決手段】単結晶基板の内部にレーザを照射して、単結晶基板の内部にアモルファス部分を形成し、次に、単結晶基板の片面にGaN結晶を形成してGaN基板を作製する。作製されたGaN基板の表面の全面に亘る転位密度の分布は、実質的に均一である。アモルファス部分は単結晶基板の平面方向に対して直線状の複数のパターンで設けられ、各パターン間のピッチが0.5mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.10%又は0.20%であり、各パターン間のピッチが1.0mmの場合は、単結晶基板の体積に対してアモルファス部分の総体積が占める体積比は0.05%又は0.10%である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)