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1. (WO2014123146) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123146    国際出願番号:    PCT/JP2014/052648
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 05.02.2014
IPC:
H01L 23/36 (2006.01), H01S 5/022 (2006.01)
出願人: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-6-1, Ote-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 1008150 (JP)
発明者: SATO, Hiroto; (JP).
MAESOBA, Tsuyoshi; (JP)
代理人: OHI, Masahiko; Nankodo 2nd Building, 43-13, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP)
優先権情報:
2013-020011 05.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention provides a semiconductor device capable of removing heat generated in a semiconductor chip, and suppressing a thermal stress generated in the semiconductor chip. The semiconductor device of the invention is provided with the semiconductor chip having a rectangular planar shape and a sub-mount on which the semiconductor chip is mounted. The sub-mount is formed by laminating multiple graphite sheets in a direction substantially orthogonal to the thickness direction of the semiconductor chip. The linear thermal expansion coefficient α1 and the linear thermal expansion coefficient α2 are mutually different values. The linear thermal expansion coefficient α1 is in the surface direction of the lamination surface of the graphite sheet, and the linear thermal expansion coefficient α2 is in the normal direction of the lamination surface. An angle θ is in a range of 35° to 65°, the angle θ being formed by the long side direction of the plane of the semiconductor chip and the normal direction of the lamination surface of the graphite sheet.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteurs qui peut éliminer la chaleur produite dans une puce semi-conductrice et supprimer une contrainte thermique générée dans la puce semi-conductrice. Le dispositif à semi-conducteurs de l'invention comprend la puce semi-conductrice ayant une forme plane rectangulaire et un support secondaire sur lequel est montée la puce semi-conductrice. Le support secondaire est formé par stratification de multiples feuilles de graphite dans une direction sensiblement orthogonale au sens de l'épaisseur de la puce semi-conductrice. Le coefficient de dilatation thermique linéaire (α1) et le coefficient de dilatation thermique linéaire (α2) sont des valeurs mutuellement différentes. Le coefficient de dilatation thermique linéaire (α1) se trouve dans la direction de surface de la surface de stratification de la feuille de graphite et le coefficient de dilatation thermique linéaire (α2) se trouve dans la direction normale de la surface de stratification. Un angle (θ) se situe dans la plage allant de 35° à 65°, l'angle (θ) étant formé par la direction côté long du plan de la puce semi-conductrice et la direction normale de la surface de stratification de la feuille de graphite.
(JA) 本発明は、半導体チップの発熱を除熱することができ、しかも、半導体チップに生ずる熱応力を抑制することができる半導体装置を提供する。 本発明の半導体装置は、平面形状が矩形の半導体チップと、この半導体チップが搭載されたサブマウントとを備えてなり、前記サブマウントは、複数のシート状グラファイトが、前記半導体チップの厚み方向に略直交する方向に沿って積層されてなり、当該シート状グラファイトの積層面の面方向の線熱膨張係数α1と積層面の法線方向の線熱膨張係数α2とが互いに異なる値のものであり、前記半導体チップの平面における長辺方向と前記シート状グラファイトの積層面の法線方向とのなす角度θが、35~65°であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)