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1. WO2014123142 - 磁気センサ装置

公開番号 WO/2014/123142
公開日 14.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/052642
国際出願日 05.02.2014
IPC
G01R 33/09 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33磁気的変量を測定する計器または装置
02磁界または磁束の方向または大きさの測定
06電流磁気装置を使用するもの
09磁気抵抗装置を使用するもの
G01R 33/02 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
33磁気的変量を測定する計器または装置
02磁界または磁束の方向または大きさの測定
CPC
G01D 5/16
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
5Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
12using electric or magnetic means
14influencing the magnitude of a current or voltage
16by varying resistance
G01R 33/09
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 浅野 啓行 ASANO Hiroyuki
  • 庄司 俊明 SHOJI Toshiaki
  • 尾込 智和 OGOMI Tomokazu
  • 下畑 賢司 SHIMOHATA Kenji
  • 岡田 正明 OKADA Masaaki
  • 加賀野 未来 KAGANO Miki
  • 樋野 雅司 HINO Masashi
  • 松井 秀樹 MATSUI Hideki
代理人
  • 木村 満 KIMURA Mitsuru
優先権情報
2013-02238007.02.2013JP
2013-12191610.06.2013JP
2013-22127924.10.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MAGNETIC SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気センサ装置
要約
(EN)
A magnetic field generation unit is disposed on one surface side of an object to be detected (4) that has a sheet shape and contains a magnetic component. The magnetic field generation unit is provided with a first magnetic pole part that constitutes a first magnetic pole, and a second magnetic pole part that constitutes a second magnetic pole opposite to the first magnetic pole. The magnetic field generation unit generates a cross magnetic field that crosses the object to be detected (4). An MR element (3) is disposed between the first magnetic pole part and the object to be detected (4). The resistance value of the MR element (3) changes according to the change of a component in a conveyance direction of the cross magnetic field. The position in the conveyance direction of the MR element (3) is a position shifted along the conveyance direction from the center position in the conveyance direction of the first magnetic pole part, and is located between both ends in the conveyance direction of the first magnetic pole part.
(FR)
Selon la présente invention, une unité de génération de champ magnétique est disposée sur un côté surface d'un objet à détecter (4) qui est stratiforme et contient un composant magnétique. L'unité de génération de champ magnétique comporte une première partie de pôle magnétique qui constitue un premier pôle magnétique, et une seconde partie de pôle magnétique qui constitue un second pôle magnétique opposé au premier pôle magnétique. L'unité de génération de champ magnétique génère un champ magnétique croisé qui croise l'objet à détecter (4). Un élément (3) à résonance magnétique (RM) est disposé entre la première partie de pôle magnétique et l'objet à détecter (4). La valeur de résistance de l'élément (3) RM change selon le changement d'un composant dans une direction de transport du champ magnétique croisé. La position dans la direction de transport de l'élément (3) RM est une position décalée le long de la direction de transport depuis la position centrale dans la direction de transport de la première partie de pôle magnétique, et est positionnée entre les deux extrémités dans la direction de transport de la première partie de pôle magnétique.
(JA)
磁界生成部は、シート状であって磁気成分を含む被検知物(4)の一方の面側に配置される。磁界生成部は、第1の磁極を構成する第1の磁極部と第1の磁極とは逆の第2の磁極を構成する第2の磁極部とを備える。磁界生成部は、被検知物(4)に交差する交差磁界を生成する。MR素子(3)は、第1の磁極部と被検知物(4)との間に配置される。MR素子(3)は、交差磁界の搬送方向における成分の変化に応じて抵抗値が変化する。MR素子(3)の搬送方向における位置は、第1の磁極部の搬送方向における中心位置から搬送方向に沿ってシフトした位置であり、第1の磁極部の搬送方向における両端の間の位置である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報