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1. (WO2014123097) 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123097    国際出願番号:    PCT/JP2014/052493
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 04.02.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: SEKI, Yuki; (JP).
SATOH, Issei; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
MATSUBARA, Hideki; (JP).
SOGABE, Koichi; (JP).
HASEGAWA, Masato; (JP).
TSUJI, Yutaka; (JP).
FUJII, Akihito; (JP)
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2013-022222 07.02.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR WAFER USING SAID SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN SUBSTRAT COMPOSITE ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR QUI UTILISE LEDIT SUBSTRAT
(JA) 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
要約: front page image
(EN)A composite substrate (1) includes: a support substrate (11) including, as a crystal phase, 35-65% by mass of a mullite phase, and 35-65% by mass of an alumina phase; and a semiconductor film (13) disposed on the main surface (11m) of the support substrate (11). A method for manufacturing a semiconductor wafer (3) includes: a step for preparing the composite substrate (1); a step for growing at least one semiconductor layer (20) on the semiconductor film (13) of the composite substrate to form a composite substrate (2) having a semiconductor layer; and a step for removing the support substrate (11) from the composite substrate (2) having a semiconductor layer to form the semiconductor wafer (3). A method is thus provided for manufacturing a composite substrate suitable for manufacturing a high-quality semiconductor wafer with high yield and good efficiency, and a semiconductor wafer using same.
(FR)La présente invention se rapporte à un substrat composite (1) qui comprend : un substrat de support (11) comprenant, en tant que phase cristalline, entre 35 et 65 % en masse d'une phase de mullite, et entre 35 et 65 % d'une phase d'alumine ; et un film de semi-conducteur (13) disposé sur la surface principale (11m) du substrat de support (11). Un procédé permettant de fabriquer une tranche de semi-conducteur (3) comprend : une étape consistant à préparer le substrat composite (1) ; une étape consistant à faire croître au moins une couche de semi-conducteur (20) sur le film de semi-conducteur (13) du substrat composite afin de former un substrat composite (2) qui comporte une couche de semi-conducteur ; et une étape consistant à enlever le substrat de support (11) du substrat composite comportant une couche de semi-conducteur afin de former la tranche de semi-conducteur (3). La présente invention se rapporte donc à un procédé permettant de fabriquer un substrat composite qui convient pour fabriquer une tranche de semi-conducteur de haute qualité qui présente un rendement élevé et une bonne efficacité, et à une tranche de semi-conducteur qui utilise ce dernier.
(JA) 複合基板(1)は、結晶相として35質量%以上65質量%以下のムライト相および35質量%以上65質量%以下のアルミナ相を含む支持基板(11)と、支持基板(11)の主面(11m)側に配置されている半導体膜(13)と、を含む。半導体ウエハ(3)の製造方法は、上記の複合基板(1)を準備する工程と、複合基板(1)の半導体膜(13)上に少なくとも1層の半導体層(20)を成長させて半導体層付複合基板(2)を形成する工程と、半導体層付複合基板(2)から支持基板(11)を除去して半導体ウエハ(3)を形成する工程と、を含む。これにより、高品質の半導体ウエハを高収率で効率よく製造するために好適な複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)