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1. (WO2014123060) ボロン拡散層形成方法及び太陽電池セルの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/123060    国際出願番号:    PCT/JP2014/052104
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 30.01.2014
予備審査請求日:    17.11.2014    
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), H01L 51/48 (2006.01)
出願人: PVG SOLUTIONS INC. [JP/JP]; 3-6-12, Shinyokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
発明者: OGINO, Takayuki; (JP).
GONSUI, Shinobu; (JP).
KATO, Futoshi; (JP).
TASAKA, Shogo; (JP).
AONO, Ryota; (JP).
OKU, Ryosuke; (JP).
KANO, Yasuyuki; (JP).
GODA, Shinji; (JP).
ISHIKAWA, Naoki; (JP)
代理人: HAGIWARA, Yasushi; Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065 (JP)
優先権情報:
2013-021205 06.02.2013 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING BORON DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR BATTERY CELL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE DE DIFFUSION DE BORE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UNE CELLULE DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) ボロン拡散層形成方法及び太陽電池セルの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a method for forming a boron diffusion layer, the method being capable of adequately removing by oxidation a boron silicide layer formed on a silicon substrate, and obtaining a high-quality boron silicate glass layer. The present invention is a method for forming a boron diffusion layer in which the boron diffusion layer is formed on a silicon substrate by means of a boron diffusion process comprising a first step for heat-diffusing boron on the silicon substrate, and a second step for oxidizing the boron silicide layer formed on the silicon substrate in the first step, wherein, in the second step, a state is maintained for at least 15 minutes in which the temperature is at least 900°C and is no higher than the processing temperature of the first step.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de former une couche de diffusion de bore, le procédé pouvant enlever de manière adéquate par oxydation une couche de siliciure de bore formée sur un substrat de silicium et obtenir une couche de verre en silicate de bore de haute qualité. La présente invention porte sur un procédé permettant de former une couche de diffusion de bore, la couche de diffusion de bore étant formée sur un substrat de silicium au moyen d'un procédé de diffusion de bore qui comprend une première étape consistant à diffuser par un traitement thermique le bore sur le substrat de silicium et une seconde étape consistant à oxyder la couche de siliciure de bore formée sur le substrat de silicium au cours de la première étape; au cours de la seconde étape, un état est maintenu pendant au moins 15 minutes dans lequel la température est d'au moins 900 °C et n'est pas plus élevée que la température de traitement de la première étape.
(JA)本発明は、シリコン基板に形成されたボロンシリサイド層を十分に酸化させて除去すると共に、良質なボロンシリケートガラス層を得ることができるボロン拡散層形成方法を提供する。本発明は、シリコン基板にボロンを熱拡散させる第1のステップと、第1のステップにおいてシリコン基板に形成されたボロンシリサイド層を酸化させる第2のステップとから成るボロン拡散工程により、シリコン基板にボロン拡散層を形成するボロン拡散層形成方法であって、第2のステップにおいて、900℃以上、かつ、第1のステップの処理温度以下の温度となる状態を15分以上有することとしたものである。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)