処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2014123030 - フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び露光装置

公開番号 WO/2014/123030
公開日 14.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/051763
国際出願日 28.01.2014
IPC
G03F 1/42 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
38補助的な特徴を有するマスク,例.特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク;その準備
42アライメント又は重ね合わせ(レジストレーション)の特徴,例.マスク基板上のアライメントマーク
G03F 9/00 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
9原稿,マスク,フレーム,写真シート,表面構造または模様が作成された表面,の位置決めまたは位置合わせ,例.自動的なもの
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
CPC
G03F 1/38
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
G03F 1/42
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
42Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
G03F 7/70525
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control, prediction of failure
G03F 7/70733
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
G03F 7/70783
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70691Handling of masks or wafers
70783Stress or warp of chucks, mask or workpiece, e.g. to compensate for imaging error
出願人
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 加藤 真裕 KATO, Masahiro
代理人
  • 河野 英仁 KOHNO, Hideto
優先権情報
2013-02242907.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND EXPOSURE APPARATUS
(FR) PHOTOMASQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTOMASQUE ET APPAREIL D'EXPOSITION
(JA) フォトマスク、フォトマスクの製造方法及び露光装置
要約
(EN)
Provided are a photomask capable of suppressing the incidence of exposure flaws even when deformation occurs during the exposure process, a method for manufacturing the photomask, and an exposure apparatus. Pattern regions on which a prescribed pattern is formed using a shielding member are provided in a plurality on a photomask using an exposure process, calibration marks being formed in positions corresponding to at least two facing sides of each pattern region. During the exposure process, deformations of the photomask are detected on the basis of the calibration marks formed on the photomasks, and marks formed on a substrate stage, and the projection conditions when the pattern formed on the photomask is projected on the substrate are corrected on the basis of the detection results.
(FR)
La présente invention porte sur un photomasque apte à supprimer l'incidence de défauts d'exposition même lorsqu'une déformation se produit durant le processus d'exposition, un procédé de fabrication de photomasque et un appareil d'exposition. Des régions de motif sur lesquelles un motif prescrit est formé à l'aide d'un élément d'écrantage sont fournies en une pluralité sur un photomasque à l'aide d'un processus d'exposition, des marques d'étalonnage étant formées en des positions correspondant à au moins deux côtés faisant face de chaque région de motif. Durant le processus d'exposition, des déformations du photomasque sont détectées sur la base des marques d'étalonnage formées sur les photomasques, et des marques formées sur un étage de substrat, et les conditions de projection lorsque le motif formé sur le photomasque est projeté sur le substrat sont corrigées sur la base des résultats de détection.
(JA)
 露光処理の際に変形した場合であっても、露光不良の発生を抑制することが可能なフォトマスク、フォトマスクの製造方法及び露光装置を提供する。露光処理に用いるフォトマスクに、遮光部材にて所定のパターンが形成してあるパターン領域が複数設けてあり、各パターン領域の少なくとも対向する二辺にそれぞれ対応する位置にキャリブレーションマークが形成してある。露光処理の際、フォトマスクに形成してあるキャリブレーションマークと、基板ステージに形成してあるマークとに基づいて、フォトマスクの変形状態を検出し、検出結果に基づいて、フォトマスクに形成してあるパターンを基板に投影する際の投影条件を補正する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報