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1. (WO2014122753) フローティングイミタンス形成回路及びこれを用いたフローティングイミタンス回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/122753    国際出願番号:    PCT/JP2013/052896
国際公開日: 14.08.2014 国際出願日: 07.02.2013
IPC:
H03H 11/46 (2006.01)
出願人: MARCDEVICES CO., LTD. [JP/JP]; 19-23-306, Yaezaki-cho, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2540811 (JP)
発明者: HIRAMA, Koichi; (JP)
代理人: TOU-OU PATENT FIRM; Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) FLOATING EMITTANCE FORMATION CIRCUIT AND FLOATING EMITTER CIRCUIT USING SAME
(FR) CIRCUIT DE FORMATION D'IMMITANCE FLOTTANTE ET CIRCUIT D'IMMITANCE FLOTTANTE METTANT EN OEUVRE CELUI-CI
(JA) フローティングイミタンス形成回路及びこれを用いたフローティングイミタンス回路
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide: a floating emittance formation circuit that can form two-terminal emittance without being affected by fluctuations in a baseline potential, or in other words in a state that is floating with respect to the baseline potential; and a floating emitter circuit using same. [Solution] The present invention includes: a pair of upstream/downstream connection terminals; at least two origin circuit connection terminals; a voltage difference detection circuit that supplies a potential difference signal indicating the input-side potential difference arising at each of the upstream and downstream connection terminals to one of the origin circuit connection terminals; and a current supply circuit that takes in from the upstream connection terminal an upstream current having a magnitude that is in accordance with the output-side potential difference between the baseline potential of a baseline potential terminal and the origin potential arising at the other origin circuit connection terminal and supplies to the downstream connection terminal a downstream current equivalent to the upstream current.
(FR)L'invention concerne un circuit de formation d'immitance flottante qui ne subit pas l'influence de variations du potentiel de référence, en d'autre termes, qui peut produire une immitance à deux bornes dans des conditions de flottement par rapport à un potentiel de référence. L'invention concerne également un circuit d'immitance flottante mettant en oeuvre ce circuit de formation d'immitance flottante. Plus spécifiquement, l'invention concerne un circuit de formation d'immitance flottante qui comporte: une paire de bornes de connexion aval et amont; au moins deux bornes de connexion d'un circuit d'origine; un circuit détecteur de tension différentielle amenant à l'une des bornes de connexion d'un circuit d'origine un signal de différence de potentiel électrique représentant la différence de potentiel électrique côté entrée, différence qui apparaît à chacune des bornes de connexion aval et amont; un circuit d'alimentation de courant qui admet un courant amont provenant de la borne de connexion amont, lequel courant correspond à une différence de potentiel électrique côté sortie entre un potentiel électrique d'origine au niveau de l'autre borne de connexion du circuit d'origine et un potentiel électrique standard d'une borne de connexion standard, et qui amène à la borne de connexion aval un courant aval égal au courant amont.
(JA)【課題】基準電位の変動の影響を受けずに、すなわち、基準電位に対してフローティング状態で2端子イミタンスを形成することができるフローティングイミタンス形成回路及びこれを用いたフローティングイミタンス回路を提供する。 【解決手段】1対の上流及び下流接続端子と、少なくとも2つの基因回路接続端子と、当該上流及び下流接続端子の各々に現れる入力側電位差を表す電位差信号を当該基因回路接続端子の一方に供給する差電圧検出回路と、当該基因回路接続端子の他方に現れる基因電位と基準電位端子の基準電位との出力側電位差に応じた大きさの上流電流を当該上流接続端子から吸い込みかつ当該上流電流に等しい下流電流を当該下流接続端子に供給する電流供給回路と、を含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)