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1. (WO2014119713) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119713    国際出願番号:    PCT/JP2014/052218
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 31.01.2014
IPC:
H01L 51/05 (2006.01), C07D 498/04 (2006.01), C07D 513/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01), C07F 7/18 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: TAKAKU Koji; (JP).
YONEKUTA Yasunori; (JP).
SOTOYAMA Wataru; (JP).
KINOSHITA Masaru; (JP)
代理人: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2013-019583 04.02.2013 JP
2014-015378 30.01.2014 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
要約: front page image
(EN)An organic thin-film transistor in which a compound that can be represented by general formula (1-1) or (1-2) is used in a semiconductor active layer exhibits high carrier mobility and little change in threshold voltage after being driven repeatedly. (In the formulas, X represents a sulfur or oxygen atom; R1 through R6 each represent a hydrogen atom or a substituent, with at least one of R1 through R6 representing a substituent that can be represented by general formula (W); L represents a specific divalent linking group; and R represents a substituted or unsubstituted alkyl group that has at least a specific number of carbon atoms (there are a total of at least four carbon atoms in alkyl groups in -L-R), an oligo-oxyethylene group in which the number (v) of oxyethylene repeating units is at least two, or an oligosiloxane group or substituted or unsubstituted trialkylsilyl group that has two or more silicon atoms.) General formula (1-1) General formula (1-2) General formula (W) -L-R
(FR)La présente invention se rapporte à un transistor à couche mince organique pour lequel un composé qui peut être représenté par la formule générale (1-1) ou (1-2) est utilisé dans une couche active semi-conductrice, ledit transistor à couche mince organique présentant une mobilité de porteurs de charge élevée et une faible variation de la tension de seuil après être commandé à plusieurs reprises. (Dans les formules, X représente un atome de soufre ou d'oxygène ; R1 à R6 représentent chacun un substituant qui peut être représenté par la formule générale (W) ; L représente un groupe de liaison divalent spécifique ; et R représente un groupe alkyle substitué ou non substitué qui comporte au moins un nombre spécifique d'atomes de carbone (il y a un total d'au moins quatre atomes de carbone dans les groupes alkyles en -L-R), un groupe oligooxyéthylène dans lequel le nombre (v) d'unités oxyéthylène répétitives est d'au moins deux, ou un groupe oligosiloxane ou un groupe trialkylsilyle substitué ou non substitué qui comporte au moins deux atomes de silicium). Formule générale (1-1) Formule générale (1-2) Formule générale (W) -L-R
(JA)一般式(1-1)または(1-2)で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタは、キャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい{XはS又はO原子。R1~R6は水素原子又は置換基を表し、R1~R6のうち少なくとも1つが一般式(W)で表される置換基。;Lは特定の2価の連結基;Rは特定以上の炭素数の置換または無置換のアルキル基(-L-Rに含まれるアルキル基の合計炭素数は4以上)、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基或いは置換又は無置換のトリアルキルシリル基}。一般式(W):-L-R
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)