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1. (WO2014119653) スパッタ成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119653    国際出願番号:    PCT/JP2014/052063
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 30.01.2014
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/40 (2006.01)
出願人: TOKAI RUBBER INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1, Higashi 3-chome, Komaki-shi, Aichi 4858550 (JP).
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY [JP/JP]; 1, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya-shi, Aichi 4648601 (JP)
発明者: SASAI Kensuke; (JP).
TOYODA Hirotaka; (JP)
代理人: HIGASHIGUCHI Michiaki; HIGASHIGUCHI PATENT LAW FIRM, Room 402, SGNagoyaeki Bldg., 4-4-19, Noritakeshinmachi, Nishi-ku, Nagoya-shi, Aichi 4510051 (JP)
優先権情報:
2013-015453 30.01.2013 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING FILM FORMING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE COUCHE PAR PULVÉRISATION
(JA) スパッタ成膜装置
要約: front page image
(EN)A sputtering film forming device (1) is provided with: a dielectric part (30) for a target; a microwave plasma generating mechanism (5) which is provided with a rectangular waveguide (51) which transmits microwaves and has a slot antenna (510) in which a slot (511) through which the microwaves pass is formed, wherein the slot (511) is covered by the dielectric part (30) and plasma (P1) is generated on a front surface (300) of the dielectric part (30) by the microwaves that pass through the slot (511); a high-frequency plasma generating mechanism (4) that is disposed on a reverse surface of the dielectric part (30), which is on the reverse side from the front surface (300) thereof, and that generates plasma (P2) at a high frequency; and a base material (20) disposed facing the front surface (300) of the dielectric part (30). The sputtering film forming device (1) causes sputtering particles that have been ejected from the dielectric part (30) to deposit on the base material (20) so as to form a thin film.
(FR)La présente invention concerne un dispositif (1) de formation de couche par pulvérisation, comprenant : une partie diélectrique (30) pour une cible ; un mécanisme (5) destiné à engendrer un plasma à micro-ondes qui comprend un guide d'ondes rectangulaire (51), qui transmet des micro-ondes et présente une antenne (510) à fentes dans laquelle est formée une fente (511) à travers laquelle passent les micro-ondes, la fente (511) étant recouverte par la partie diélectrique (30) et un plasma (P1) étant engendré sur une surface avant (300) de la partie diélectrique (30) par les micro-ondes qui passent à travers la fente (511) ; un mécanisme (4) destiné à engendrer un plasma haute fréquence qui est disposé sur une surface d'envers de la partie diélectrique (30) - qui est sur la face d'envers de sa surface avant (300) - et qui engendre un plasma (P2) à une haute fréquence ; et un matériau de base (20) disposé en regard de la surface avant (300) de la partie diélectrique (30). Le dispositif (1) de formation de couche par pulvérisation amène des particules de pulvérisation qui ont été expulsées de la partie diélectrique (30) à se déposer sur le matériau de base (20) afin de former une couche mince.
(JA) スパッタ成膜装置(1)は、ターゲットとしての誘電体部(30)と、マイクロ波を伝送し、該マイクロ波が通過するスロット(511)が形成されたスロットアンテナ(510)を有する矩形導波管(51)を備え、スロット(511)は誘電体部(30)により被覆され、スロット(511)を通過した該マイクロ波にて誘電体部(30)の表面(300)にプラズマ(P1)を生成するマイクロ波プラズマ生成機構(5)と、誘電体部(30)の表面(300)に背向する背向面に配置され高周波にてプラズマ(P2)を生成する高周波プラズマ生成機構(4)と、誘電体部(30)の表面(300)に対向して配置される基材(20)と、を備える。スパッタ成膜装置(1)は、誘電体部(30)から飛び出したスパッタ粒子を基材(20)の表面に付着させて薄膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)