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1. (WO2014119596) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119596    国際出願番号:    PCT/JP2014/051903
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 29.01.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: PS4 LUXCO S.A.R.L. [LU/LU]; 208, Val des Bons Malades, L-2121 Luxembourg (LU) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SAKOGAWA, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (US only)
発明者: SAKOGAWA, Yasuyuki; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 11F, Toranomon-Twin-Building West, 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2013-018241 01.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device which is provided with: a gate insulating film which contains a high dielectric constant insulating material and has a first width; a lower gate electrode which has a second width that is narrower than the first width; an upper gate electrode which has a third width; and a first spacer layer which covers the lateral part of the upper gate electrode, a part of the lower part of the upper gate electrode, a part of the lower gate electrode, a part of the upper surface of the gate insulating film, said part of the upper surface being out of contact with the lower gate electrode, and the lateral surface of the gate insulating film.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui comprend : un film d'isolation de grille qui contient un matériau d'isolation à constante diélectrique élevée et qui présente une première largeur ; une électrode grille inférieure qui présente une deuxième largeur plus étroite que la première largeur ; une électrode grille supérieure qui présente une troisième largeur ; et une première couche entretoise qui recouvre la partie latérale de l'électrode grille supérieure, une partie de la partie inférieure de l'électrode grille supérieure, une partie de l'électrode grille inférieure, une partie de la surface supérieure du film d'isolation de grille - ladite partie de la surface supérieure étant hors de contact de l'électrode grille inférieure - et la surface latérale du film d'isolation de grille.
(JA) 高誘電率絶縁材料を含み第1の幅を有するゲート絶縁膜と、第1の幅より狭い第2の幅を有する下部ゲート電極と、第3の幅を有する上部ゲート電極と、上部ゲート電極の側部と上部ゲート電極の下部の一部と下部ゲート電極の一部と下部ゲート電極と接しないゲート絶縁膜の上面の一部とゲート絶縁膜の側面を覆う第1のスペーサ層と、を備える半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)