WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014119580) 薄型基板処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119580    国際出願番号:    PCT/JP2014/051856
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 28.01.2014
IPC:
C23C 14/50 (2006.01), C23C 14/02 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
発明者: FUJINAGA, Tetsushi; (JP).
MATSUMOTO, Masahiro; (JP).
ARAI, Makoto; (JP).
MASE, Eriko; (JP).
IWAI, Harunori; (JP).
TAKAHASHI, Koji; (JP).
IHORI, Atsuhito; (JP)
代理人: ONDA, Makoto; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
優先権情報:
2013-019767 04.02.2013 JP
2013-019768 04.02.2013 JP
発明の名称: (EN) THIN SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT MINCE
(JA) 薄型基板処理装置
要約: front page image
(EN)A thin substrate processing device (10) is provided with substrate processing units (20A, 20B) that process thin substrates (S) and cooling units (31, 101) that cool the thin substrates (S) during processing of the thin substrates (S) by the substrate processing units (20A, 20B). The cooling units (31, 101) are constituted of an electrostatic chuck (31) that cools the thin substrates (S) by absorbing from a surface on the opposite side from the processing surface of the thin substrates (S) being processed by the substrate processing units (20A, 20B) or a gas cooling unit (101) that cools the thin substrates (S) by supplying a gas to the surface on the opposite side from the processing surface of the thin substrates (S) being processed by the substrate processing units (20A, 20B).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat mince (10) pourvu d'unités de traitement de substrat (20A, 20B) qui traitent des substrats minces (S) et d'unités de refroidissement (31, 101) qui refroidissent les substrats minces (S) durant le traitement des substrats minces (S) par les unités de traitement de substrat (20A, 20B). Les unités de refroidissement (31, 101) sont constituées d'un porte-substrat électrostatique (31) qui refroidit les substrats minces (S) par absorption depuis une surface sur le côté opposé de la surface de traitement des substrats minces (S) traités par les unités de traitement de substrat (20A, 20B) ou par une unité de refroidissement à gaz (101) qui refroidit les substrats minces (S) en fournissant un gaz sur la surface du côté opposé à la surface de traitement des substrats minces (S) traités par les unités de traitement de substrat (20A, 20B).
(JA) 薄型基板処理装置(10)は、薄型基板(S)を処理する基板処理部(20A; 20B)と、基板処理部(20A; 20B)が薄型基板(S)を処理しているときに薄型基板(S)を冷却する冷却部(31; 101)とを備える。冷却部(31; 101)は、基板処理部(20A; 20B)によって処理される薄型基板(S)の処理面とは反対側の面を吸着することによって薄型基板(S)を冷却する静電チャック(31)、又は基板処理部(20A; 20B)によって処理される薄型基板(S)の処理面とは反対側の面にガスを供給することによって薄型基板(S)を冷却するガス冷却部(101)で構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)