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1. WO2014119474 - シリコンのドライエッチング方法

公開番号 WO/2014/119474
公開日 07.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2014/051452
国際出願日 24.01.2014
IPC
H01L 21/302 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
出願人
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou
  • 毛利 勇 MORI, Isamu
  • 渉 仁紀 WATARI, Masanori
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
優先権情報
2013-01821501.02.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE SÈCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンのドライエッチング方法
要約
(EN)
This dry etching method, whereby a silicon layer to be processed is etched in a processing chamber, supplies an etching gas including iodine heptafluoride from a supply source at a supply pressure within a pressure range of 66kPa - 0.5MPa, introduces the etching gas which is retained in said pressure range into a processing chamber wherein the pressure has been reduced below the supply pressure, and etches the silicon layer. With this dry etching method, the etching gas is adiabatically expanded and the silicon etched under mild pressure conditions, thereby eliminating concerns about device load or device cost increases, and in-plane distribution uniformity of etching quantity is satisfactory.
(FR)
Le présent procédé de gravure sèche, selon lequel une couche de silicium à traiter est gravée dans une chambre de traitement, injecte un gaz de gravure comprenant de l'heptafluorure d'iode à partir d'une source d'alimentation à une pression d'injection comprise entre 66 kPa et 0,5 Mpa, introduit le gaz de gravure qui est maintenu dans ladite plage de pression dans une chambre de traitement dans laquelle la pression a été réduite sous la pression d'injection et grave la couche de silicium. Avec ce procédé de gravure sèche, le gaz de gravure est expansé adiabatiquement et le silicium gravé dans des conditions de pression faibles, éliminant ainsi les soucis de charge de dispositif ou d'accroissement du coût des dispositifs, et l'uniformité de distribution dans le plan de la quantité de gravure est satisfaisante.
(JA)
 本発明のドライエッチング方法は、処理室内で処理対象物のシリコン層をエッチングするドライエッチング方法であって、供給源から七フッ化ヨウ素を含むエッチングガスを、供給圧力が66kPa~0.5MPaの圧力範囲で供給し、該圧力範囲に保持されたエッチングガスを前記供給圧力より低い圧力に減圧された処理室に導入し、前記シリコン層をエッチングすることを特徴とする。該ドライエッチング方法では、温和な圧力条件でエッチングガスを断熱膨張させてシリコンをエッチングするため、装置への負担や装置コストの増加の懸念がなく、かつ、エッチング量の面内分布均一性が良好となる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報