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1. (WO2014119445) 半導体装置の製造方法および製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119445    国際出願番号:    PCT/JP2014/051232
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 22.01.2014
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), H01L 33/52 (2010.01)
出願人: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-2, Shimo-hozumi 1-chome, Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
発明者: MATSUSHITA, Takao; (JP).
MORI, Shinichiro; (JP)
代理人: OKAMOTO, Hiroyuki; c/o IKUMI PATENT ATTORNEYS OFFICE, Central Shin-Osaka Building 3rd Floor, 5-36, Miyahara 4-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
優先権情報:
2013-014668 29.01.2013 JP
2013-053628 15.03.2013 JP
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および製造装置
要約: front page image
(EN)This method is a production method for semiconductor devices obtained by sealing semiconductor elements by using a sealing sheet. The production method for semiconductor devices comprises: a preparation step in which a sealing sheet and a plurality of semiconductor elements are prepared; a sealing step in which, after the preparation step, the plurality of semiconductor elements are sealed as a batch, by using the sealing sheet; and a recovery step in which, after the sealing step, the sealing sheet and the plurality of semiconductor elements are recovered.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production de dispositifs à semi-conducteur obtenus en encapsulant des éléments semi-conducteurs au moyen d'une feuille d'encapsulation Ledit procédé de production de dispositifs à semi-conducteur comprend : une étape de préparation à laquelle une feuille d'encapsulation et une pluralité d'élément semi-conducteurs sont préparés ; une étape d'encapsulation suivant l'étape de préparation, à laquelle la pluralité d'éléments semi-conducteurs est encapsulée par lots au moyen de la feuille d'encapsulation ; et une étape de récupération suivant l'étape d'encapsulation, à la quelle la feuille d'encapsulation et la pluralité d'éléments semi-conducteurs sont récupérés.
(JA) この方法は、封止シートによって半導体素子を封止することにより得られる半導体装置の製造方法である。半導体装置の製造方法は、封止シートおよび複数の半導体素子を準備する準備工程、準備工程の後に、封止シートによって複数の半導体素子を一括して封止する封止工程、および、封止工程の後に、封止シートおよび複数の半導体素子を回収する回収工程を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)