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1. (WO2014119441) 光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119441    国際出願番号:    PCT/JP2014/051212
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 22.01.2014
IPC:
H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/046 (2014.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
発明者: ARANAMI, Junji; (JP).
KUROSU, Keita; (JP)
優先権情報:
2013-015593 30.01.2013 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約: front page image
(EN)This photoelectric conversion device comprises: a substrate; an electrode layer that is arranged on the substrate and has a first region and a second region; a photoelectric conversion unit that is arranged on the first region; a band-like semiconductor layer that is arranged on the second region and extends along the photoelectric conversion unit in a first direction; a band-like extraction electrode that extends in the first direction and is arranged so as to range from the upper surface of the semiconductor layer to the upper surface of the second region, while covering a first lateral surface of the semiconductor layer in the first direction; and a resin layer that is bonded to the semiconductor layer, while covering the electrode layer, the photoelectric conversion unit, the semiconductor layer and the extraction electrode.
(FR)Le dispositif de conversion photoélectrique de l'invention possède : un substrat; une couche d'électrode disposée sur le substrat, et possédant une première ainsi qu'une seconde région; une partie conversion photoélectrique disposée sur la première région; une couche semi-conductrice en forme de ceinture disposée sur la seconde région, et agencée en prolongement dans une première direction suivant la partie conversion photoélectrique; une électrode d'extraction en forme de ceinture se prolongeant dans la première direction, et disposée de la face supérieure de la couche semi-conductrice à la face supérieure de la seconde région tout en revêtant une première face latérale suivant la première direction de la couche semi-conductrice; et une couche de résine qui tout en revêtant la couche d'électrode, la partie conversion photoélectrique, la couche semi-conductrice et l'électrode d'extraction, adhère à la couche semi-conductrice.
(JA) 光電変換装置は、基板と、基板上に配置された、第1領域および第2領域を有する電極層と、第1領域上に配置された光電変換部と、第2領域上に配置された、光電変換部に沿って第1方向に延設されている帯状の半導体層と、第1方向に沿って延びており、半導体層の上面から半導体層の第1方向に沿った第1側面を覆って第2領域の上面にかけて配置された帯状の取出電極と、電極層、光電変換部、半導体層および取出電極を覆うとともに半導体層に被着した樹脂層とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)