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1. (WO2014119351) イオンミリング装置、及びイオンミリング加工方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119351    国際出願番号:    PCT/JP2014/050271
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 10.01.2014
IPC:
H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
発明者: HORINOUCHI Kento; (JP).
KAMINO Atsushi; (JP).
IWAYA Toru; (JP).
KONOMI Mami; (JP).
TAKASU Hisayuki; (JP)
代理人: INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
優先権情報:
2013-014966 30.01.2013 JP
発明の名称: (EN) ION MILLING DEVICE, AND ION MILLING WORKING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GRAVURE IONIQUE ET PROCÉDÉ DE TRAVAIL DE GRAVURE IONIQUE
(JA) イオンミリング装置、及びイオンミリング加工方法
要約: front page image
(EN)An objective of the present invention is to provide a sample working method and an ion milling device whereby a heat increase arising by an ion beam projection is alleviated under a high cooling effect. Proposed are a sample working method and an ion milling device in which an ion beam (301) is projected toward a sample (3) in a state of a masking member (2) being positioned upon the sample (3), wherein, while cooling, with a cooling member (203), the masking member (2) or a masking member retaining part (202) which retains the masking member (2) in a state of being in contact with the masking member (2), the ion beam (301) is projected upon the masking member (2) and the sample (3).
(FR)L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de travail sur échantillon et un dispositif de gravure ionique, ce qui permet qu'une augmentation de chaleur inhérente à une projection de faisceau d'ions soit atténuée sous un effet de refroidissement élevé. La solution selon l'invention concerne un procédé de travail sur échantillon et un dispositif de gravure ionique dans lequel un faisceau d'ions (301) est projeté vers un échantillon (3) dans un état dans lequel un élément de masquage (2) est positionné sur l'échantillon (3), pendant le refroidissement, avec un élément de refroidissement (203), l'élément de masquage (2) ou une pièce de retenue de l'élément de masquage (202) qui retient l'élément de masquage (2) dans un état en contact avec l'élément de masquage (2), le faisceau d'ions (301) étant projeté sur l'élément de masquage (2) et sur l'échantillon (3).
(JA) イオンビーム照射によって発生する熱上昇を高い冷却効果のもとに抑制する試料加工方法、及びイオンミリング装置の提供を目的として、試料(3)上に遮蔽部材(2)を配置した状態で試料(3)に向かってイオンビーム(301)を照射する試料加工方法、及びイオンミリング装置であって、前記遮蔽部材(2)、或いは当該遮蔽部材(2)に接した状態で当該遮蔽部材(2)を保持する遮蔽部材保持部(202)を、冷却部材(203)によって冷却しつつ、前記イオンビーム(301)を前記遮蔽部材(2)と前記試料(3)に照射する試料加工方法、及びイオンミリング装置を提案する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)