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1. (WO2014119327) 不揮発性記憶装置のデータ記録方法および不揮発性記憶装置のデータ書き込み回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119327    国際出願番号:    PCT/JP2014/000506
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 31.01.2014
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), G06F 21/31 (2013.01), G06F 21/62 (2013.01), G06F 21/73 (2013.01), G06F 21/79 (2013.01)
出願人: PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
発明者: KATOH, Yoshikazu;
代理人: PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
優先権情報:
2013-018723 01.02.2013 JP
発明の名称: (EN) DATA STORAGE METHOD FOR NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, AND DATA WRITING CIRCUIT FOR NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE STOCKAGE DE DONNÉES POUR DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL, ET CIRCUIT D'ÉCRITURE DE DONNÉES POUR DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶装置のデータ記録方法および不揮発性記憶装置のデータ書き込み回路
要約: front page image
(EN)This data storage method for a non-volatile storage device is provided with a memory cell array in which multiple memory cells are arranged in an array, wherein the memory cells are able to take on: a variable state in which resistance values reversibly transition between a plurality of variable resistance value ranges due to a plurality of different electrical signals being applied; and an initial state that does not change to a variable state as long as a forming stress is not applied, said forming stress being an electrical stress that causes a state to change to a variable state, and is in an initial resistance value range where resistance values do not overlap with any of the variable resistance value ranges. Furthermore, the data storage method for a non-volatile storage device includes a step for applying a forming stress to the memory cells in the initial state, and records data in the memory cell array by using the difference as to whether each memory cell is in an initial state or in a variable state, according to the step in which the forming stress is applied.
(FR)La présente invention concerne un procédé de stockage de données destiné à un dispositif de stockage non volatil muni d'un réseau de cellules de mémoire dans lequel des cellules de mémoire multiples sont disposées en réseau, les cellules de mémoire pouvant adopter: un état variable dans lequel des valeurs de résistance changent de façon réversible entre une pluralité de plages de valeurs de résistance variable en raison de l'application d'une pluralité de signaux électriques différents; et un état initial qui ne passe pas à un état variable tant qu'une contrainte de mise en forme n'est pas appliquée, ladite contrainte de mise en forme étant une contrainte électrique qui provoque le passage à un état variable, et se situant dans une plage initiale de valeurs de résistance où les valeurs de résistance ne recoupent aucune des plages de valeurs de résistance variable. En outre, le procédé de stockage de données pour dispositif de stockage non volatil comprend une étape consistant à appliquer une contrainte de mise en forme aux cellules de mémoire dans l'état initial, et enregistre des données dans le réseau de cellules de mémoire en utilisant la différence selon laquelle chaque cellule de mémoire se trouve dans un état initial ou dans un état variable, selon l'étape à laquelle la contrainte de mise en forme est appliquée.
(JA) 複数のメモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイを備える不揮発性記憶装置のデータ記録方法であって、メモリセルは、異なる複数の電気的信号が印加されることによって、抵抗値が複数の可変抵抗値範囲の間を可逆的に遷移する、可変状態と、可変状態に変化させるような電気的ストレスであるフォーミングストレスが印加されない限り可変状態とならず、かつ、抵抗値が可変抵抗値範囲のいずれとも重複しない初期抵抗値範囲にある、初期状態と、を取りうるものであって、初期状態のメモリセルへフォーミングストレスを印加するステップを含み、フォーミングストレスを印加するステップにより、各メモリセルが初期状態にあるか可変状態にあるかの違いを利用してメモリセルアレイへとデータを記録する不揮発性記憶装置のデータ記録方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)