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1. (WO2014119045) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/119045    国際出願番号:    PCT/JP2013/076771
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 02.10.2013
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: KUSACHI, Keiji; (JP)
代理人: KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
優先権情報:
2013-018006 01.02.2013 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (1) comprising a semiconductor substrate (11), a wiring layer (51), a first protective film (62), insulating layers (41, 42), and a second protective film (63). The wiring layer (51) is formed upon the semiconductor substrate (11) and is used as a bonding pad. The first protective film (62) is formed upon the semiconductor substrate (11) so as to enclose the bonding pad and has moisture resistance. The insulating layers (41, 42) are formed upon the first protective film (62) and has moisture absorbing properties. The second protective film (63) is continuously formed upon the bonding pad, the insulating layers (41, 42), and the first protective film (62), and opens at the center section of the bonding pad. The second protective film (63) has moisture resistance and has adhesion to the first protective film (62). Groove sections (81, 82) are formed by the side surfaces of the bonding pad and the side surfaces of the insulating layers (41, 42), and the first protective film (61) and the second protective film (62) come in contact at the bottom surface of the groove sections (81, 82).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs (1) comprenant un substrat à semi-conducteurs (11), une couche de câblage (51), un premier film protecteur (62), des couches isolantes (41, 42) et un second film protecteur (63). La couche de câblage (51) est formée sur le substrat à semi-conducteurs (11) et sert de plot de connexion. Le premier film protecteur (62) est formé sur le substrat à semi-conducteurs (11) de manière à contenir le plot de connexion, et est résistant à l'humidité. Les couches isolantes (41, 42) sont formées sur le premier film protecteur (62) et présentent des propriétés d'absorption d'humidité. Le second film protecteur (63) est formé de manière continue sur le plot de connexion, les couches isolantes (41, 42) et le premier film protecteur (62), et s'ouvre au niveau de la section centrale du plot de connexion. Le second film protecteur (63) est résistant à l'humidité et adhère au premier film protecteur (62). Des sections de rainure (81, 82) sont formées sur les surfaces latérales du plot de connexion et les surfaces latérales des couches isolantes (41, 42), et le premier film protecteur (62) et le second film protecteur (63) viennent en contact au niveau de la surface inférieure des sections de rainure (81, 82).
(JA) 半導体装置(1)は、半導体基板(11)、配線層(51)、第1の保護膜(62)、絶縁層(41,42)、および第2の保護膜(63)を備える。配線層(51)は、半導体基板(11)上に形成され、ボンディングパッドとして使用される。第1の保護膜(62)は、ボンディングパッドを囲むように半導体基板(11)上に形成され、耐湿性を有する。絶縁層(41,42)は、第1の保護膜(62)上に形成され、吸湿性を有する。第2の保護膜(63)は、ボンディングパッド上と絶縁層(41,42)上と第1の保護膜(62)上とに連続的に形成され、ボンディングパッドの中心部で開口する。第2の保護膜(63)は、耐湿性を有し、第1の保護膜(62)と密着性を有する。ボンディングパッドの側面と絶縁層(41,42)の側面とにより溝部(81,82)が形成され、第1の保護膜(61)と第2の保護膜(62)は、溝部(81,82)の底面で当接する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)