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1. (WO2014118882) 表面波励起プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/118882    国際出願番号:    PCT/JP2013/051879
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 29.01.2013
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 1, Nishinokyo-kuwabaracho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP)
発明者: SUZUKI, Masayasu; (JP)
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SURFACE WAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA PAR ONDE DE SURFACE
(JA) 表面波励起プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)Provided is a surface wave plasma processing device, comprising: a wave guide tube wherein a slot antenna is formed in a bottom part, and which propagates microwaves therewithin; a slot antenna dielectric which is positioned within the slot antenna; a primary dielectric which is positioned opposite the bottom part of the wave guide tube, and which makes contact with the slot antenna dielectric; and a shield region which is positioned in an excess region of a region wherein the slot antenna dielectric and the primary dielectric make contact, between the bottom part of the wave guide tube and the primary dielectric, and which is capable of electromagnetic wave shielding. A process gas is excited via the microwaves which are propagated to the primary dielectric from the wave guide tube via the slot antenna dielectric, generating a surface wave plasma.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma par onde de surface, qui comprend : un tube de guide d'ondes, une antenne à fente étant formée dans une partie fond et qui propage des micro-ondes à l'intérieur ; un diélectrique d'antenne à fente, placé dans l'antenne à fente ; un diélectrique principal, placé à l'opposé de la partie fond du tube de guide d'ondes et qui entre en contact avec le diélectrique d'antenne à fente ; et une région de protection, placée dans une région en excès d'une région dans laquelle le diélectrique d'antenne à fente et le diélectrique principal sont en contact, entre la partie fond du tube de guide d'ondes et le diélectrique principal et qui peut protéger des ondes électromagnétiques. Un gaz de traitement est excité par le biais des micro-ondes qui sont propagées vers le diélectrique principal depuis le tube de guide d'ondes par le diélectrique d'antenne à fente, générant un plasma à onde de surface.
(JA) 底部にスロットアンテナが形成され、内部をマイクロ波が伝播する導波管と、スロットアンテナ内に配置されたスロットアンテナ誘電体と、導波管の底部に対向して配置され、スロットアンテナ誘電体と接する主誘電体と、スロットアンテナ誘電体と主誘電体とが接する領域の残余の領域において導波管の底部と主誘電体との間に配置された、電磁波をシールド可能なシールド領域とを備え、導波管からスロットアンテナ誘電体を介して主誘電体に伝播されるマイクロ波によってプロセスガスを励起し、表面波励起プラズマを生成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)