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1. WO2014118863 - 光起電力装置

公開番号 WO/2014/118863
公開日 07.08.2014
国際出願番号 PCT/JP2013/007546
国際出願日 24.12.2013
IPC
H01L 31/0224 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0224電極
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
CPC
H01L 31/0516
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
0504specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
0516specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
H01L 31/0682
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0682back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 篠原 亘 SHINOHARA, Wataru
代理人
  • 森下 賢樹 MORISHITA, Sakaki
優先権情報
2013-01747331.01.2013JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光起電力装置
要約
(EN)
A photovoltaic device (100) is provided with: a first conductive layer (26); a base layer (12) that is provided on the first conductive layer (26); a first metal electrode (20) that is provided on the base layer (12); a through hole (36) that penetrates the first metal electrode (20) and the base layer (12); an insulating layer (22), which is provided such that the substantially whole surface of the first metal electrode (20) is covered with the insulating layer, and which covers an inner wall of the through hole (36); and a second metal electrode (30) that is provided on the insulating layer (22). The second metal electrode (30) is in contact with the first conductive layer (26) via the through hole (36) that is covered with the insulating layer (22).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque (100) qui comprend : une première couche conductrice (26); une couche de base (12), prévue sur la première couche conductrice (26); une première électrode métallique (20), prévue sur la couche de base (12); un orifice traversant (36) qui pénètre dans la première électrode métallique (20) et la couche de base (12); une couche isolante (22), prévue de sorte que la quasi-totalité de la surface de la première électrode métallique (20) est recouverte par la couche isolante et qui couvre une paroi interne de l'orifice traversant (36); et une seconde électrode métallique (30), prévue sur la couche isolante (22). La seconde électrode métallique (30) est en contact avec la première couche conductrice (26) par l'orifice traversant (36) qui est recouvert par la couche isolante (22).
(JA)
光起電力装置(100)は、第1導電層(26)と、第1導電層(26)の上に設けられるベース層(12)と、ベース層(12)の上に設けられる第1金属電極(20)と、第1金属電極(20)およびベース層(12)を貫通する貫通孔(36)と、第1金属電極(20)の略全面を覆うように設けられ、貫通孔(36)の内壁を被覆する絶縁層(22)と、絶縁層(22)の上に設けられる第2金属電極(30)と、を備える。第2金属電極(30)は、絶縁層(22)により被覆された貫通孔(36)を介して第1導電層(26)と接する。
他の公開
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