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1. (WO2014118859) 炭化珪素半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/118859    国際出願番号:    PCT/JP2013/007458
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 19.12.2013
IPC:
H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: MORINO, Tomoo; (JP).
MIZUNO, Shoji; (JP).
TAKEUCHI, Yuichi; (JP).
SOENO, Akitaka; (JP).
WATANABE, Yukihiko; (JP)
代理人: KIN, Junhi; 6th Floor, Takisada Bldg., 2-13-19, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-city, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2013-017147 31.01.2013 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
要約: front page image
(EN)A silicon carbide semiconductor device which is equipped with element separation layers (14) and electric-field mitigation layers (15). Each element separation layer has been formed between a main cell region (Rm) and a sense cell region (Rs) so as to extend from the surface of a base region (3) down to a depth larger than the base region, and separates the base region into an area on the main cell region side and an area on the sense cell region side. Each electric-field mitigation layer has been formed so as to extend from the bottom of the base region down to a depth larger than the element separation layer. The electric-field mitigation layer has been separated into an area on the main cell region side and an area on the sense cell region side, and at least some of the element separation layer has been disposed inside the separated portions of the electric-field mitigation layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium équipé de couches de séparation d'éléments (14) et de couches d'atténuation de champ électrique (15). Selon l'invention, chaque couche de séparation d'éléments a été formée entre une région de cellule principale (Rm) et une région de cellule de détection (Rs) de façon à s'étendre de la surface d'une région de base (3) en descendant sur une profondeur plus importante que la région de base, et sépare la région de base en une zone située du côté région de cellule principale et en une zone située du côté région de cellule de détection. Chaque couche d'atténuation de champ électrique a été formée de façon à s'étendre de la partie inférieure de la région de base en descendant sur une profondeur plus importante que la couche de séparation d'éléments. La couche d'atténuation de champ électrique a été séparée en une zone du côté région de cellule principale et en une zone du côté région de cellule de détection, et au moins une certaine quantité de la couche de séparation d'éléments a été disposée à l'intérieur des parties séparées de la couche d'atténuation de champ électrique.
(JA) 炭化珪素半導体装置は、素子分離層(14)と、電界緩和層(15)とを備える。素子分離層は、メインセル領域(Rm)とセンスセル領域(Rs)との間において、ベース領域(3)の表面から前記ベース領域よりも深くまで形成され、前記メインセル領域側と前記センスセル領域側とに分離する。電界緩和層は、前記ベース領域の底部から前記素子分離層よりも深い位置まで形成される。前記電界緩和層は、前記メインセル領域側と前記センスセル領域側とに分離されており、前記電界緩和層の分離部分の内側に前記素子分離層の少なくとも一部が配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)