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1. (WO2014118833) 積層型半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/118833    国際出願番号:    PCT/JP2013/005897
国際公開日: 07.08.2014 国際出願日: 03.10.2013
IPC:
H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: DOHI, Shigefumi; .
AKAHOSHI, Toshitaka;
代理人: TOKUDA, Yoshiaki; c/o Panasonic Corporation, 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
優先権情報:
2013-015069 30.01.2013 JP
発明の名称: (EN) LAMINATED SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS STRATIFIÉS
(JA) 積層型半導体装置
要約: front page image
(EN)This laminated semiconductor device is provided with: a first semiconductor element having a main surface that is provided with a photoelectric conversion region; an extended part which is extended outwardly beyond a side end face of the first semiconductor element; a rewiring layer which is formed on a first surface of the extended part; a second semiconductor element which is arranged over a region from the outside of the photoelectric conversion region of the main surface of the first semiconductor element to the extended part, and which is electrically connected to the first semiconductor element and the rewiring layer; and a first electrode pad which is formed on the rewiring layer and is electrically connected to the second semiconductor element via the rewiring layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs stratifiés comprenant: un premier élément semi-conducteur ayant une surface principale pourvue d'une zone de conversion photo-électrique; un élément allongé qui est s'étend vers l'extérieur au delà d'une face d'extrémité latérale du premier élément semi-conducteur; une couche de recâblage qui est formée sur une première surface de l'élément allongé; un second élément semi-conducteur qui est ménagé par dessus une zone depuis l'extérieur de la zone de conversion photo-électrique de la surface principale du premier élément semi-conducteur jusqu'à l'élément allongé, et qui est électriquement raccordé au premier élément semi-conducteur et à la couche de recâblage; et une première pastille d'électrode qui est formée sur la couche de recâblage et qui est électriquement raccordée au second élément semi-conducteur par l'intermédiaire de la couche de recâblage.
(JA) 積層型半導体装置は、主面に光電変換領域を備えた第1の半導体素子と、第1の半導体素子の側端面より外方に拡張された拡張部と、拡張部の第1の面に形成された再配線層と、第1の半導体素子の主面の、光電変換領域外から拡張部に亘って配置され、第1の半導体素子および再配線層と電気的に接続された第2の半導体素子と、再配線層に形成され、再配線層を介して第2の半導体素子と電気的に接続する第1の電極パッドを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)