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1. (WO2014111314) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2014/111314 国際出願番号: PCT/EP2014/050395
国際公開日: 24.07.2014 国際出願日: 10.01.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
発明者:
DIMROTH, Frank; DE
KLINGER, Vera; DE
代理人:
PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöe 13 80339 München, DE
優先権情報:
10 2013 000 882.418.01.2013DE
発明の名称: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HÄRTEPUFFER UND DESSEN VERWENDUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UN TAMPON DE DURETÉ ET SON UTILISATION
要約:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, welches einen gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Härtepuffer aufweist. Dadurch werden geringere durchstoßende Versetzungsdichten, vor allem für Pufferschichten mit ansteigender Gitterkonstante, erreicht. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich um eine Solarzelle handeln. In diesem Fall wird durch den verbesserten Härtepuffer eine wesentlich höhere Effizienz der Solarzelle im Vergleich mit herkömmlichen Solarzellen beobachtet. Weiterhin wird die Verwendung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements oder der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle zur Stromerzeugung in Satelliten im Weltraum oder in terrestrischen photovoltaischen Konzentratorsystemen vorgeschlagen.
(EN) The invention relates to a semiconductor component that has an improved hardness buffer compared to the prior art. Lower penetrating dislocation densities are achieved thereby, especially for buffer layers having an increasing lattice constant. The semiconductor component according to the invention can be a solar cell. In this case a substantially higher efficiency of the solar cell is observed compared to conventional solar cells, thanks to the improved hardness buffer. The invention further relates to the use of the semiconductor component according to the invention or of the multiple solar cell according to the invention for energy generation in satellites in space or in terrestrial photovoltaic concentrator systems.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur présentant un tampon de dureté amélioré par rapport à l'état de la technique, ce qui permet d'obtenir des densités de dislocations émergentes réduites surtout pour des couches tampons aux constantes de réseau croissantes. L'élément semi-conducteur selon l'invention peut être une cellule solaire. Dans ce cas, le tampon de dureté amélioré permet d'observer une nette augmentation de l'efficacité de la cellule solaire par rapport aux cellules solaires classiques. En outre, il est proposé d'utiliser l'élément semi-conducteur selon l'invention ou la cellule solaire multiple selon l'invention pour produire de l'électricité dans les satellites dans l'espace ou bien dans des systèmes concentrateurs photovoltaïques terrestres.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: ドイツ語 (DE)
国際出願言語: ドイツ語 (DE)