WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2014061464) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/061464    国際出願番号:    PCT/JP2013/077020
国際公開日: 24.04.2014 国際出願日: 04.10.2013
IPC:
H01L 51/30 (2006.01), C07D 493/04 (2006.01), C07F 7/18 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
発明者: KITAMURA Tetsu; (JP).
TAKAKU Koji; (JP).
SOTOYAMA Wataru; (JP)
代理人: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
2012-227654 15.10.2012 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, ORGANIC SEMI-CONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC SEMI-CONDUCTOR MATERIAL
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE ET MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
要約: front page image
(EN)An organic thin-film transistor which uses a compound represented by general formula (1) in a semi-conductor active layer, and which has high carrier mobility, and low variation of threshold voltage after repeated driving. R1-R12 are hydrogen atoms or substituents; at least one from among R1-R12 is a substituent represented by general formula (W), or R1-R12 all represent hydrogen atoms. * represents a bonding position to a naphtho bis benzofuran framework; L represents a single bond, or a divalent linking group of a specific structure; R represents an alkyl group having a carbon number of two or more, or an oligoethyleneoxy group having two or more repeating ethyleneoxy units, or an oligosiloxane group having two or more silicon atoms. *-L-R:general formula (W)
(FR)L'invention concerne un transistor à couche mince organique qui utilise un composé représenté par la formule générale (1) dans une couche active semi-conductrice et qui a une mobilité de porteurs de charge élevée et une faible variation de la tension de seuil après des commandes répétées. R1-R12 sont des atomes d'hydrogène ou des substituants ; au moins un groupe parmi R1-R12 est un substituant représenté par la formule générale (W), ou R1-R12 représentent tous des atomes d'hydrogène. * représente une position de liaison à une ossature de naphto bis benzofurane ; L représente une liaison simple ou un groupe de liaison divalent d'une structure spécifique ; R représente un groupe alkyle ayant un nombre d'atomes de carbone supérieur ou égal à deux ou un groupe oligoéthylèneoxy ayant deux unités éthylèneoxy répétitives ou plus ou un groupe oligosiloxane ayant deux atomes de silicium ou plus. *-L-R : formule générale (W)
(JA) 一般式(1)で表される化合物を半導体活性層に用いた有機薄膜トランジスタはキャリア移動度が高く、繰り返し駆動後の閾値電圧変化が小さい。R~R12は水素原子または置換基;R~R12のうち少なくとも1つは一般式(W)で表される置換基であるか、R~R12が全て水素原子を表す。*はナフトビスベンゾフラン骨格との結合位;Lは単結合または特定の構造の2価の連結基;Rは炭素数2以上のアルキル基、エチレンオキシ単位の繰り返し数が2以上のオリゴエチレンオキシ基またはケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基を表す。*–L–R:一般式(W)
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)