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1. (WO2014061337) ナノカーボン膜の作製方法及びナノカーボン膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2014/061337    国際出願番号:    PCT/JP2013/071333
国際公開日: 24.04.2014 国際出願日: 07.08.2013
IPC:
C01B 31/02 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: KAWAI Makoto; (JP).
KUBOTA Yoshihiro; (JP)
代理人: KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2012-227851 15.10.2012 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING NANOCARBON FILM AND NANOCARBON FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN NANOFILM DE CARBONE ET NANOFILM DE CARBONE
(JA) ナノカーボン膜の作製方法及びナノカーボン膜
要約: front page image
(EN)The present invention relates to a method for producing a nanocarbon film using a hybrid substrate with which a nanocarbon film free from defects can be produced at low cost. This method is characterized in forming an ion implantation region by implanting ion into a single crystal silicon carbide substrate from a surface thereof and after bonding together the surface of the silicon carbide substrate implanted with ion and a surface of a base substrate, releasing the silicon carbide substrate at the ion implanted region to produce a hybrid substrate in which a thin film that includes the single crystal silicon carbide is transferred onto the base substrate, and then heating the hybrid substrate to sublime silicon atoms from the thin film that includes the single crystal silicon carbide so as to obtain the nanocarbon film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un nanofilm de carbone faisant appel à un substrat hybride et grâce auquel un nanofilm de carbone exempt de défauts peut être produit pour un faible coût. Ce procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à obtenir une zone d'implantation d'ions en implantant des ions dans un substrat à base de carbure de silicium monocristallin depuis une surface de celui-ci, puis, après liaison de la surface du substrat à base de carbure de silicium sur laquelle ont été implantés les ions et d'une surface d'un substrat formant support, à larguer le substrat à base de carbure de silicium au niveau de la région dans laquelle ont été implantés les ions en vue de la production d'un substrat hybride dans lequel une couche mince comprenant le carbure de silicium monocristallin est transférée sur le substrat formant support, puis à chauffer ledit substrat hybride afin d'entraîner la sublimation des atomes de silicium en provenance de la couche mince comportant le carbure de silicium monocristallin afin d'obtenir ledit nanofilm de carbone.
(JA) 欠陥のないナノカーボン膜を安価に作製することが可能なハイブリッド基板を用いたナノカーボン膜の作製方法に関するものであり、単結晶の炭化珪素基板の表面からイオンを注入してイオン注入領域を形成し、上記炭化珪素基板のイオン注入した表面とベース基板の表面とを貼り合わせた後、上記イオン注入領域で炭化珪素基板を剥離させてベース基板上に単結晶の炭化珪素を含む薄膜を転写させたハイブリッド基板を作製し、次いで該ハイブリッド基板を加熱して上記単結晶の炭化珪素を含む薄膜から珪素原子を昇華させてナノカーボン膜を得ることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)