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1. (WO2013163433) LASER JOINING DEVICE
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2013/163433 国際出願番号: PCT/US2013/038223
国際公開日: 31.10.2013 国際出願日: 25.04.2013
IPC:
B23K 26/20 (2006.01)
B 処理操作;運輸
23
工作機械;他に分類されない金属加工
K
ハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26
レーザービームによる加工,例.溶接,切断,穴あけ
20
結合,例.溶接
出願人:
ALERE SAN DIEGO, INC. [US/US]; 9975 Summers Ridge Road Dan Diego, CA 92121, US
発明者:
OLSSON, Erik, Mikael; US
RIVERON, Jonathan; US
TOVAR, Armando, Raul; US
代理人:
TAYLOR, Stacy, L.; Dla Piper Llp (US) 4365 Executive Drive, Suite 1100 San Diego, CA 92121-2133, US
優先権情報:
61/638,85026.04.2012US
発明の名称: (EN) LASER JOINING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ASSEMBLAGE AU LASER
要約:
(EN) The present invention relates to methods for joining materials as well as articles manufactured using such processes. The invention pertains to a process for joining a first substrate to a second substrate. The process includes irradiating a portion of a first substrate with a laser beam having a first wavelength and intensity sufficient to increase the absorbance of the first substrate to light having a second, different wavelength. The laser beam may carbonize at least a portion of the irradiated portion of the first substrate imparting a higher absorbance to light than non-irradiated portions of the first substrate. A second substrate is then placed in contact with the irradiated portion of the first substrate. The first substrate is then irradiated with a second laser having a second wavelength, different to the first wavelength; with a sufficient intensity to heat and, preferably melt, the irradiated portion of the first substrate.
(FR) L'invention se rapporte à des procédés d'assemblage de matériaux ainsi qu'à des objets fabriqués à l'aide de ces processus. L'invention a trait à un processus qui permet d'assembler un premier substrat avec un second substrat. Ledit processus consiste à exposer une partie d'un premier substrat à un faisceau laser présentant une première longueur d'onde et une intensité suffisante pour accroître l'absorbance du premier substrat quant à une lumière ayant une seconde longueur d'onde, différente de la première. Le faisceau laser peut carboniser au moins une portion de la partie exposée du premier substrat, ce qui confère à cette partie une absorbance quant à la lumière qui est plus élevée que celle des parties non exposées du premier substrat. Un second substrat est alors mis en contact avec la partie exposée dudit premier substrat. Ensuite, ce premier substrat est exposé à un second laser qui présente une seconde longueur d'onde différente de la première, ainsi qu'une intensité suffisante pour chauffer, et de préférence faire fondre, la partie exposée dudit premier substrat.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)
また、:
CN104245219EP2844419US20150107752