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World Intellectual Property Organization
1. (WO2013125716) スパッタリングターゲット及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/125716    国際出願番号:    PCT/JP2013/054637
国際公開日: 29.08.2013 国際出願日: 15.02.2013
C23C 14/34 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP)
発明者: ZHANG, Shoubin; (JP).
UMEMOTO, Keita; (JP).
SHOJI, Masahiro; (JP)
代理人: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
2012-039042 24.02.2012 JP
2013-005369 16.01.2013 JP
(JA) スパッタリングターゲット及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a sputtering target which contains Na in a high concentration and, despite this, is inhibited from discoloring, generating spots, and causing abnormal discharge and which has high strength and rarely breaks. Also provided is a process for producing the sputtering target. The sputtering target has a composition which contains 10-40 at% Ga and 1.0-15 at% Na as metallic components other than F, S, and Se, with the remainder comprising Cu and unavoidable impurities, the Na being contained in the form of at least one Na compound selected from sodium fluoride, sodium sulfide, and sodium selenide. The sputtering target has a theoretical density ratio of 90% or higher, a folding strength of 100 N/mm2 or higher, and a bulk resistivity of 1 mΩ·cm or less. The number of 0.05 mm2 or larger aggregates of the at least one of sodium fluoride, sodium sulfide, and sodium selenide present per cm2 of the target surface is 1 or less on average.
(FR)La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique qui contient du sodium (Na) et qui, malgré cela, est dans l'impossibilité d'engendrer des décolorations, de provoquer des tâches et de causer des décharges anormales. Outre sa résistance élevée, le dispositif s'interrompt rarement. L'invention a trait également à un procédé de production de la cible de pulvérisation. La cible de pulvérisation présente une composition qui contient de 10 à 40 % atomique de gallium (Ga) et de 1,0 à 15 % atomique de sodium (Na) comme composants métalliques autres que le fluor (F), le souffre (S) et le sélénium (Se), le reste comprenant du cuivre (Cu) et des impuretés inévitables. Le Na est contenu sous la forme d'au moins un composé Na choisi parmi le fluorure de sodium, le sulfure de sodium et le séléniure de sodium. La cible de pulvérisation a un rapport de densité théorique de 90 % ou plus, une résistance à la flexion de 100 N/mm2 ou plus et une résistivité volumique de 1 mΩ·cm ou moins. Le nombre d'agrégats de 0,05 mm2 ou plus dudit au moins fluorure de sodium, sulfure de sodium et séléniure de sodium présents par cm2 de la surface cible est de 1 ou moins en moyenne.
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)