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1. (WO2013125366) 電力用スイッチング回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/125366    国際出願番号:    PCT/JP2013/053000
国際公開日: 29.08.2013 国際出願日: 08.02.2013
IPC:
H02M 1/00 (2007.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA Yasushi [--/JP]; (JP) (US only)
発明者: NAKAYAMA Yasushi; (JP)
代理人: OIWA Masuo; 35-8,Minamimukonoso 3-chome,Amagasaki-shi, Hyogo 6610033 (JP)
優先権情報:
2012-038118 24.02.2012 JP
発明の名称: (EN) POWER SWITCHING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMUTATION DE COURANT
(JA) 電力用スイッチング回路
要約: front page image
(EN)A power switching circuit comprises: a power semiconductor element (10) including a main switching element (1) to which a main body diode (3) is connected in parallel and a sense switching element (2) to which a sense body diode (4) is connected in parallel; a reverse overcurrent detection circuit (7) for detecting overcurrent flowing in a reverse direction, the overcurrent being included in the current flowing through a parallel body consisting of the sense switching element (2) and the sense body diode (4); and a control circuit (5) for driving the gate of the power semiconductor element (10). When the reverse overcurrent detection circuit (7) detects reverse overcurrent, the control circuit (5) controls the main switching element (1) and the sense switching element (2) to turn on.
(FR)Circuit de commutation de courant comprenant : un élément semi-conducteur de puissance (10) incluant un élément de commutation principal (1) auquel une diode de substrat principale (3) est reliée en parallèle et un élément de commutation de sens (2) auquel une diode de substrat de sens (4) est reliée en parallèle ; un circuit de détection de surintensité inverse (7) pour détecter une surintensité circulant en sens inverse, la surintensité étant incluse dans le courant circulant à travers un substrat parallèle formé de l'élément de commutation de sens (2) et de la diode de substrat de sens (4) ; et un circuit de commande (5) pour commander la porte de l'élément semi-conducteur de puissance (10). Lorsque le circuit de détection de surintensité inverse (7) détecte une surintensité inverse, le circuit de commande (5) commande l'élément de commutation principal (1) et l'élément de commutation de sens (2) pour une mise sous tension.
(JA)並列にメインボディダイオード(3)が接続されたメインスイッチング素子(1)と、並列にセンスボディダイオード(4)が接続されたセンススイッチング素子(2)とを備えた電力用半導体素子(10)と、センススイッチング素子(2)とセンスボディダイオード(4)との並列体に流れる電流のうち逆方向に流れる過電流を検出する逆方向過電流検出回路(7)と、電力用半導体素子(10)のゲートを駆動する制御回路(5)とを備え、この制御回路(5)は逆方向過電流検出回路(7)が逆方向過電流を検出した場合に、メインスイッチング素子(1)およびセンススイッチング素子(2)をオンするように制御するようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)