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1. (WO2013125157) シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/125157    国際出願番号:    PCT/JP2013/000276
国際公開日: 29.08.2013 国際出願日: 22.01.2013
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/26 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: MASUDA, Naoki; (JP).
YANAGIMACHI, Takahiro; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2012-034694 21.02.2012 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CALCULATING HEIGHT POSITION OF SILICON MELT SURFACE, METHOD FOR DRAWING UP MONOCRYSTALLINE SILICON AND DEVICE FOR DRAWING UP MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE CALCUL DE LA HAUTEUR D'UNE SURFACE DE MASSE FONDUE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE TIRAGE VERTICAL DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF DE TIRAGE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置
要約: front page image
(EN)The invention provides a method for calculating the height position of a silicon melt surface when drawing up CZ monocrystalline silicon. A first crystal diameter, measured from the fusion ring at the boundary between the silicon melt and the monocrystalline silicon using a CCD camera set at a selected angle with respect to the monocrystalline silicon, and a second crystal diameter, measured using two CCD cameras set parallel facing the respective ends of the crystal diameter of the monocrystalline silicon, are determined. From the difference between the first crystal diameter and the second crystal diameter, the height position of the silicon melt surface in the crucible as the monocrystalline silicon is being drawn up is calculated. Provided thereby is a method capable of more accurately calculating the height position of the silicon melt surface when monocrystalline silicon is being drawn up.
(FR)L'invention concerne un procédé de calcul de la hauteur d'une surface de masse fondue de silicium lors d'un tirage CZ (vertical) de silicium monocristallin. Un premier diamètre cristallin, mesuré à partir de l'anneau en fusion au niveau de la frontière entre la masse fondue de silicium et le silicium monocristallin à l'aide d'une caméra CCD placée à un angle sélectionné par rapport au silicium monocristallin, et un deuxième diamètre cristallin, mesuré à l'aide de deux caméras CCD placées parallèlement, orientées vers les extrémités respectives du diamètre cristallin du silicium monocristallin, sont déterminés. A partir de la différence entre le premier diamètre cristallin et le deuxième diamètre cristallin, la hauteur de la surface de la masse fondue de silicium dans le creuset lorsque le silicium monocristallin est tiré verticalement est calculée. Un procédé permettant un calcul plus précis de la hauteur de la surface de la masse fondue de silicium, lorsque le silicium monocristallin est tiré verticalement, est donc décrit.
(JA) 本発明は、CZシリコン単結晶を引上げる際に、シリコン融液面の高さ位置を算出する方法であって、シリコン単結晶に対して任意の角度に設置したCCDカメラを用い、シリコン融液とシリコン単結晶との境界のフュージョンリングから計測した第一の結晶直径と、シリコン単結晶の結晶直径の両端に向かって各々平行に設置した2台のCCDカメラを用いて計測した第二の結晶直径を求め、該第一の結晶直径と第二の結晶直径の差から、シリコン単結晶引上げ中におけるルツボ内のシリコン融液面の高さ位置を算出するシリコン融液面の高さ位置の算出方法を提供する。これにより、シリコン単結晶を引上げているときのシリコン融液面の高さ位置をより正確に算出することができる方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)