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1. (WO2013124924) 窒化物半導体発光チップ、窒化物半導体発光装置及び窒化物半導体チップの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/124924    国際出願番号:    PCT/JP2012/006754
国際公開日: 29.08.2013 国際出願日: 22.10.2012
予備審査請求日:    18.03.2013    
IPC:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: INOUE, Akira; .
FUJITA, Toshiyuki; .
FUJIKANE, Masaki; .
YOKOGAWA, Toshiya;
代理人: MAEDA & PARTNERS; Osaka-Marubeni Bldg.5F,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2012-037661 23.02.2012 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING CHIP, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE ÉLECTROLUMINESCENTE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光チップ、窒化物半導体発光装置及び窒化物半導体チップの製造方法
要約: front page image
(EN)A nitride semiconductor light-emitting chip (100) is provided with: a conductive substrate (104) having a nitride semiconductor layer; an n-type nitride semiconductor layer (105), an active layer (106), and a p-type nitride semiconductor layer (107) formed sequentially on the primary surface of the nitride semiconductor layer; and an n-side electrode (109) provided so as to contact the conductive substrate. The conductive substrate has a plurality of recessed portions (104a) formed in mutually separated positions on a rear side that is on the opposite side of the primary side. The n-side electrode contacts at least some of the front side of the recessed portions (104a). D1≤0.25T, where T is the thickness of the conductive substrate and D1 is the depth of the recessed portions.
(FR)La présente invention a trait à une puce électroluminescente de semi-conducteur au nitrure (100) qui est équipée : d'un substrat conducteur (104) qui est doté d'une couche semi-conductrice de nitrure ; d'une couche semi-conductrice de nitrure de type N (105), d'une couche active (106) et d'une couche semi-conductrice de nitrure de type P (107) qui sont formées de façon séquentielle sur la surface primaire de la couche semi-conductrice de nitrure ; et d'une électrode côté N (109) qui est prévue de manière à entrer en contact avec le substrat conducteur. Le substrat conducteur est pourvu d'une pluralité de parties en retrait (104a) qui sont formées à des positions mutuellement distinctes sur un côté arrière qui se trouve du côté opposé au côté primaire. L'électrode côté N entre en contact avec au moins certains des côtés avant des parties en retrait (104a). D1 ≤ 0,25T, T étant l'épaisseur du substrat conducteur et D1 étant la profondeur des parties en retrait.
(JA) 窒化物半導体発光チップ(100)は、窒化物半導体層を有する導電性基板(104)と、窒化物半導体層の主面の上に順次形成されたn型窒化物半導体層(105)、活性層(106)及びp型窒化物半導体層(107)と、導電性基板と接触するように設けられたn側電極(109)とを備えている。導電性基板は、主面と反対側の裏面の互いに分離された位置に形成された複数の凹部(104a)を有している。n側電極は、凹部(104a)の表面の少なくとも一部と接触している。導電性基板の厚さをTとし、凹部の深さをD1とした場合に、深さD1は厚さTの25%以上である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)