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1. (WO2013122036) 光起電力素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/122036    国際出願番号:    PCT/JP2013/053214
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 12.02.2013
予備審査請求日:    12.12.2013    
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: CHOSHU INDUSTRY CO., LTD. [JP/JP]; 3740, Shin-yamanoi, Sanyo-onoda-shi, Yamaguchi 7578511 (JP)
発明者: KOBAYASHI Eiji; (JP)
代理人: KAEDE PATENT ATTONEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400011 (JP)
優先権情報:
2012-027917 13.02.2012 JP
発明の名称: (EN) PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光起電力素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided are a photovoltaic element and a method for manufacturing the same, with which fill factor decline is reduced, and an increase in the amount of light absorbed onto a photoelectric conversion layer and an improvement in the fill factor can both be achieved. Hydrogen gas is introduced from an inlet tube (32) to inside a film-formation chamber (103). The atmosphere during formation of a transparent electrode film on a substrate (11) is made to contain approximately 1% hydrogen. IWO evaporated from within a crucible (104) by means of an electron flow discharged from an arc plasma gun (105) is deposited onto the substrate (11) together with oxygen introduced from an inlet tube (31) and the hydrogen introduced from the inlet tube (32).
(FR)L'invention concerne un élément photovoltaïque et un procédé de fabrication de celui-ci, grâce auxquels le déclin du facteur de remplissage est réduit et une augmentation de la quantité de lumière absorbée sur une couche de conversion photoélectrique et une amélioration du facteur de remplissage peuvent être obtenues. De l'hydrogène gazeux est introduit par un tube d'entrée (32) vers l'intérieur d'une chambre de formation de film (103). L'atmosphère, pendant la formation d'un film d'électrode transparent sur un substrat (11), est amenée à contenir approximativement 1 % d'hydrogène. De l'oxyde d'indium dopé au tungstène qui s'est évaporé d'un creuset (104) à l'aide d'un flux d'électrons déchargé d'un pistolet à arc plasma (105) est déposé sur le substrat (11) conjointement avec de l'oxygène introduit par le tube d'entrée (31) et l'hydrogène introduit par le tube d'entrée (32).
(JA) 曲線因子の低下を減少させ、光電変換層への光の取り込み量の増加と曲線因子の向上とを両立できるようにする。 成膜チャンバ(103)内に、導入管(32)から水素ガスを導入する。基板(11)に対する透明電極膜の形成時の雰囲気中に1%程度の水素を含有させる。アークプラズマガン(105)から放出された電子流によってるつぼ(104)内から蒸発したIWOは、導入管(31)から導入された酸素及び導入管(32)から導入された水素とともに基板(11)に堆積する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)