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1. (WO2013122024) スピン注入電極構造及びそれを用いたスピン伝導素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/122024    国際出願番号:    PCT/JP2013/053180
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 12.02.2013
IPC:
H01L 29/82 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: TDK CORPORATION [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)
発明者: KOIKE Hayato; (JP).
OIKAWA Tohru; (JP).
SASAKI Tomoyuki; (JP)
優先権情報:
2012-029253 14.02.2012 JP
発明の名称: (EN) SPIN IMPLANTATION ELECTRODE STRUCTURE AND SPIN TRANSPORT ELEMENT USING SAME
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR IMPLANTATION DE SPIN ET ÉLÉMENT DE TRANSPORT DE SPIN UTILISANT CELLE-CI
(JA) スピン注入電極構造及びそれを用いたスピン伝導素子
要約: front page image
(EN)[Problem] To provide a spin implantation electrode structure and spin transport element using the same that can carry out highly efficient spin implantation in a semiconductor. [Solution] Aluminum oxide that includes a γ phase is used for material constituting a tunnel barrier layer. In addition, a protective film is formed on the periphery of the tunnel barrier layer. Therefore, a spin implantation electrode structure with good quality having few defects inside the crystal and in the joining interface can be obtained, highly efficient spin implantation into semiconductors can be achieved, and a spin transport element with high output characteristics at room temperature can be provided.
(FR)[Problème] Fourniture d'une structure d'électrode pour implantation de spin et d'un élément de transport de spin utilisant celle-ci, pouvant mettre en œuvre une implantation du spin hautement efficace dans un semi-conducteur. [Solution] Un oxyde d'aluminium comportant une phase gamma, utilisé pour un matériau constituant une couche de barrière tunnel. En outre, un film de protection est formé sur la périphérie de la couche de barrière tunnel. Ainsi, une structure d'électrode pour implantation de spin de bonne qualité ayant peu de défauts à l'intérieur du cristal et dans l'interface de jonction peut être obtenue, l'implantation du spin hautement efficace dans des semi-conducteurs peut être obtenue, et un élément de transport de spin avec des caractéristiques de sortie élevées à température ambiante peut être fourni.
(JA)【課題】半導体への高効率なスピン注入を可能とするスピン注入電極構造と、それを用いたスピン伝導素子を提供すること。 【解決手段】トンネルバリア層を構成する材料として、γ相を含む酸化アルミニウムを用いる。また、トンネルバリア層の外周に保護膜を形成する。これにより、結晶内部や接合界面における欠陥が少ない良質なスピン注入電極構造を得ることができ、半導体への高効率なスピン注入が実現可能となり、室温において高い出力特性が得られるスピン伝導素子が提供できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)