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1. (WO2013121927) 半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/121927    国際出願番号:    PCT/JP2013/052566
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 05.02.2013
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP).
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
発明者: TASAI Kunihiko; (JP).
NAKAJIMA Hiroshi; (JP).
FUTAGAWA Noriyuki; (JP).
YANASHIMA Katsunori; (JP).
ENYA Yohei; (JP).
KUMANO Tetsuya; (JP).
KYONO Takashi; (JP)
代理人: TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2012-029042 14.02.2012 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
要約: front page image
(EN)A semiconductor element which comprises: a semiconductor substrate which has a semi-polar surface that is formed of a hexagonal group III nitride semiconductor; a first cladding layer of a first conductivity type, which is formed of Inx1Aly1Ga1-x1-y1N (wherein x1 > 0 and y1 > 0); a second cladding layer of a second conductivity type, which is formed of Inx2Aly2Ga1-x2-y2N (wherein 0 ≤ x2 ≤ 0.02 and 0.03 ≤ y2 ≤ 0.07); and a light emitting layer which is formed between the first cladding layer and the second cladding layer. This semiconductor element is provided with an epitaxial layer that is formed on the semi-polar surface of the semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur qui comprend : un substrat semi-conducteur qui a une surface semi-polaire qui est formée d'un semi-conducteur de nitrure de groupe III hexagonal ; une première couche de métallisation d'un premier type de conductivité qui est formée de Inx1Aly1Ga1-X1-Y1N (où x1> 0 et y1> 0) ; une seconde couche de métallisation d'un second type de conductivité qui est formée de Inx2Aly2Ga1-x2-y2N (où 0 ≤ x2 ≤ 0,02 et 0,03 ≤ y2 ≤ 0,07) ; et une couche émettant de la lumière qui est formée entre la première couche de métallisation et la seconde couche de métallisation. Cet élément semi-conducteur est doté d'une couche épitaxiale qui est formée sur la surface semi-polaire du substrat semi-conducteur.
(JA) 六方晶系III族窒化物半導体で形成された半極性面を有する半導体基板と、Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(x1>0、y1>0)からなる第1導電型の第1クラッド層と、Inx2Aly2Ga1-x2-y2N(0≦x2≦0.02、0.03≦y2≦0.07)からなる第2導電型の第2クラッド層と、前記第1クラッド層及び前記第2クラッド層の間に形成される発光層とを有し、前記半導体基板の半極性面上に形成されたエピタキシャル層と、を備える半導体素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)