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1. (WO2013121701) 半導体ウエハ用保護フィルム及び半導体チップの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/121701    国際出願番号:    PCT/JP2013/000347
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 24.01.2013
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 11/04 (2006.01), C09J 133/00 (2006.01), C09J 163/00 (2006.01), C09J 171/10 (2006.01), C09J 179/08 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: ICHIROKU, Nobuhiro; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2012-028911 13.02.2012 JP
発明の名称: (EN) PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) FILM DE PROTECTION DESTINÉ À UNE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウエハ用保護フィルム及び半導体チップの製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention provides a protective film for semiconductor wafers which is provided with a base film and a protective membrane formed on the upper side of the base film, wherein the protective film for a semiconductor wafer is characterized in that the protective membrane contains components (A)-(E) below. (A) 100 parts by mass of at least one type of resin selected from the group consisting of phenoxy resins, polyimide resins, and (meth)acrylic resins; (B) 5-200 parts by mass of an epoxy resin; (C) 100-400 parts by mass of a filler other than a fibrous inorganic filler; (D) a catalytic quantity of an epoxy resin curing catalyst; and (E) 25-5000 parts by mass of a fibrous inorganic filler. A semiconductor wafer protective film having excellent cutting properties, and a highly productive method for manufacturing semiconductor chips, are provided thereby.
(FR)La présente invention a trait à un film de protection destiné à des plaquettes de semi-conducteur qui est doté d'un film de base et d'une membrane de protection qui est formée sur le côté supérieur du film de base, lequel film de protection destiné à une plaquette de semi-conducteur est caractérisé en ce que la membrane de protection contient les composants (A) à (E) ci-dessous. (A) 100 parties en masse d'au moins un type de résine choisi dans le groupe constitué par des résines phénoxy, des résines de polyimide et des résines (méth)acryliques ; (B) 5 à 200 parties en masse d'une résine époxy ; (C) 100 à 400 parties en masse d'une charge autre qu'une charge inorganique fibreuse ; (D) une quantité catalytique d'un catalyseur de durcissement de résine époxy ; et (E) 25 à 5000 parties en masse d'une charge inorganique fibreuse. Un film de protection de plaquette de semi-conducteur qui est doté d'excellentes propriétés de découpe et un procédé hautement productif permettant de fabriquer des puces de semi-conducteur sont de la sorte fournis.
(JA) 本発明は、基材フィルムと、該基材フィルムの上側に形成された保護膜とを備える半導体ウエハ用保護フィルムであって、前記保護膜が下記(A)~(E)成分を含有するものであることを特徴とする半導体ウエハ用保護フィルムである。 (A)フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、及び(メタ)アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種:100質量部、 (B)エポキシ樹脂:5~200質量部、 (C)繊維状無機充填材以外の充填材:100~400質量部、 (D)エポキシ樹脂硬化触媒:触媒量、及び (E)繊維状無機充填材:25~5000質量部。 これにより、切断特性に優れる半導体ウエハ用保護フィルムおよび生産性の高い半導体チップの製造方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)