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1. WO2013121640 - 静電容量型センサ及びその製造方法

公開番号 WO/2013/121640
公開日 22.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/079568
国際出願日 14.11.2012
IPC
H04R 19/04 2006.01
H電気
04電気通信技術
Rスピーカ,マイクロホン,蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器;補聴器;パブリックアドレスシステム
19静電型変換器
04マイクロホン
B81B 3/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Bマイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
B81C 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Cマイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置
1基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理
H01L 29/84 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
84外からの機械的力,例.圧力,の変化によって制御可能なもの
H04R 31/00 2006.01
H電気
04電気通信技術
Rスピーカ,マイクロホン,蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器;補聴器;パブリックアドレスシステム
31変換器またはそのための振動板の製造に特に適合した装置または方法
CPC
B81B 2201/0264
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0264Pressure sensors
B81B 2203/0127
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
01Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
0127Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
B81B 3/0021
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
0018Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
0021Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
B81B 3/0056
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
3Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
0056Adjusting the distance between two elements, at least one of them being movable, e.g. air-gap tuning
B81C 1/00158
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00134comprising flexible or deformable structures
00158Diaphragms, membranes
G01H 11/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
11Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
06by electric means
出願人
  • オムロン株式会社 OMRON CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中河 佑将 NAKAGAWA Yusuke
  • 笠井 隆 KASAI Takashi
  • 多田羅 佳孝 TATARA Yoshitaka
代理人
  • 中野 雅房 NAKANO Masayoshi
優先権情報
2012-03105515.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CAPACITIVE-TYPE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) CAPTEUR DE TYPE CAPACITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI
(JA) 静電容量型センサ及びその製造方法
要約
(EN)
In the present invention, a through-hole (33) is provided, which is open above and below, upon a silicon substrate (32). A diaphragm (35) is disposed above the through-hole (33) of the silicon substrate (32). The periphery of the diaphragm (35) faces the upper surface of the silicon substrate (32) with a gap open therebetween, and between the periphery lower surface of the diaphragm (35) and the top surface of the silicon substrate (32) is formed a vent hole (36) for passing acoustic vibration. Above the diaphragm (35) is provided a fixed electrode film (46) across an air gap. Upon areas overlapping the periphery of the diaphragm (35) of the top surface of the silicon substrate (32) are provided air escape portions (34) for which at least a respective portion is configured by a slope surface. For the air escape portions (34), a cross-sectional area which is parallel to the top surface of the silicon substrate (32) in at least a portion thereof is formed so as to become smaller toward below from the top surface aperture of the air escape portions (34). The slope surfaces of the air escape portions (34) are configured by the densest surfaces of the silicon substrate (32).
(FR)
Selon la présente invention, un trou traversant (33) est fourni, lequel est ouvert au-dessus et au-dessous, sur un substrat de silicium (32). Une membrane (35) est disposée au-dessus du trou traversant (103) du substrat de silicium (32). La périphérie de la membrane (35) est tournée vers la surface supérieure du substrat de silicium (32) ayant un intervalle ouvert entre ceux-ci, et entre la surface inférieure de périphérie de la membrane (35) et la surface supérieure du substrat de silicium (32) est formé un trou d'aération (36) pour faire passer une vibration acoustique. Au-dessus de la membrane (35) est disposé un film d'électrode fixe (46) à travers un entrefer. Sur des zones recouvrant la périphérie de la membrane (35) de la surface supérieure du substrat de silicium (32) sont disposées des parties d'échappement d'air (34) pour lesquelles au moins une partie respective est configurée par une surface de pente. Pour les parties d'échappement d'air (34), une zone de section transversale qui est parallèle à la surface supérieure du substrat de silicium (32) dans au moins une partie de celui-ci est formée de manière à devenir plus petite vers le dessous depuis l'ouverture de surface supérieure des parties d'échappement d'air (34). Les surfaces de pente des parties d'échappement d'air (34) sont configurées par les surfaces les plus denses du substrat de silicium (32).
(JA)
 シリコン基板32に、上下に開口した貫通孔33を設ける。シリコン基板32の貫通孔33の上方にダイアフラム35を配置する。ダイアフラム35の周縁部は、シリコン基板32の上面と間隙をあけて対向し、ダイアフラム35の周縁部下面とシリコン基板32の上面との間には音響振動を通過させるためのベントホール36が形成される。ダイアフラム35の上方に、エアギャップを介して固定電極膜46を設ける。シリコン基板32の上面のうちダイアフラム35の周縁部と重なり合った領域に、少なくとも一部が傾斜面によって構成された空気逃げ部34を設ける。空気逃げ部34は、少なくとも一部においてシリコン基板32の上面と平行な断面積が、空気逃げ部34の上面開口から下方へ向かうに従って小さくなるように形成される。空気逃げ部34の傾斜面は、シリコン基板32の最稠密面によって構成される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報