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1. (WO2013121640) 静電容量型センサ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/121640    国際出願番号:    PCT/JP2012/079568
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 14.11.2012
IPC:
H04R 19/04 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01), H04R 31/00 (2006.01)
出願人: OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP)
発明者: NAKAGAWA Yusuke; (JP).
KASAI Takashi; (JP).
TATARA Yoshitaka; (JP)
代理人: NAKANO Masayoshi; Ilias Building 3F, 10-2, Nishiiwamoto-cho, Higashikujo, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018005 (JP)
優先権情報:
2012-031055 15.02.2012 JP
発明の名称: (EN) CAPACITIVE-TYPE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) CAPTEUR DE TYPE CAPACITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR CELUI-CI
(JA) 静電容量型センサ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In the present invention, a through-hole (33) is provided, which is open above and below, upon a silicon substrate (32). A diaphragm (35) is disposed above the through-hole (33) of the silicon substrate (32). The periphery of the diaphragm (35) faces the upper surface of the silicon substrate (32) with a gap open therebetween, and between the periphery lower surface of the diaphragm (35) and the top surface of the silicon substrate (32) is formed a vent hole (36) for passing acoustic vibration. Above the diaphragm (35) is provided a fixed electrode film (46) across an air gap. Upon areas overlapping the periphery of the diaphragm (35) of the top surface of the silicon substrate (32) are provided air escape portions (34) for which at least a respective portion is configured by a slope surface. For the air escape portions (34), a cross-sectional area which is parallel to the top surface of the silicon substrate (32) in at least a portion thereof is formed so as to become smaller toward below from the top surface aperture of the air escape portions (34). The slope surfaces of the air escape portions (34) are configured by the densest surfaces of the silicon substrate (32).
(FR)Selon la présente invention, un trou traversant (33) est fourni, lequel est ouvert au-dessus et au-dessous, sur un substrat de silicium (32). Une membrane (35) est disposée au-dessus du trou traversant (103) du substrat de silicium (32). La périphérie de la membrane (35) est tournée vers la surface supérieure du substrat de silicium (32) ayant un intervalle ouvert entre ceux-ci, et entre la surface inférieure de périphérie de la membrane (35) et la surface supérieure du substrat de silicium (32) est formé un trou d'aération (36) pour faire passer une vibration acoustique. Au-dessus de la membrane (35) est disposé un film d'électrode fixe (46) à travers un entrefer. Sur des zones recouvrant la périphérie de la membrane (35) de la surface supérieure du substrat de silicium (32) sont disposées des parties d'échappement d'air (34) pour lesquelles au moins une partie respective est configurée par une surface de pente. Pour les parties d'échappement d'air (34), une zone de section transversale qui est parallèle à la surface supérieure du substrat de silicium (32) dans au moins une partie de celui-ci est formée de manière à devenir plus petite vers le dessous depuis l'ouverture de surface supérieure des parties d'échappement d'air (34). Les surfaces de pente des parties d'échappement d'air (34) sont configurées par les surfaces les plus denses du substrat de silicium (32).
(JA) シリコン基板32に、上下に開口した貫通孔33を設ける。シリコン基板32の貫通孔33の上方にダイアフラム35を配置する。ダイアフラム35の周縁部は、シリコン基板32の上面と間隙をあけて対向し、ダイアフラム35の周縁部下面とシリコン基板32の上面との間には音響振動を通過させるためのベントホール36が形成される。ダイアフラム35の上方に、エアギャップを介して固定電極膜46を設ける。シリコン基板32の上面のうちダイアフラム35の周縁部と重なり合った領域に、少なくとも一部が傾斜面によって構成された空気逃げ部34を設ける。空気逃げ部34は、少なくとも一部においてシリコン基板32の上面と平行な断面積が、空気逃げ部34の上面開口から下方へ向かうに従って小さくなるように形成される。空気逃げ部34の傾斜面は、シリコン基板32の最稠密面によって構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)