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1. (WO2013121521) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/121521    国際出願番号:    PCT/JP2012/053375
国際公開日: 22.08.2013 国際出願日: 14.02.2012
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/40 (2006.01), H01L 23/473 (2006.01)
出願人: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYAMOTO, Noboru [--/JP]; (JP) (米国のみ).
KIKUCHI, Masao [--/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIYAMOTO, Noboru; (JP).
KIKUCHI, Masao; (JP)
代理人: TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)A cooling fin (9) is bonded on a lower surface of a semiconductor element (1). A resin (10) encapsulates the semiconductor element (1). A part of the cooling fin (9) is protruding from a lower surface of the resin (10). A cooler (11) has an opening (12). The cooling fin (9) protruding from the resin (10) is inserted into the opening (12) of the cooler (11). The lower surface of the resin (10), and the cooler (11) are bonded to each other by means of a bonding material (13), such as an adhesive. Consequently, while reducing the number of components and weight, both the satisfactory heat conductivity and bonding strength are achieved.
(FR)Une ailette de refroidissement (9) est collée sur une surface inférieure d'un élément semiconducteur (1). Une résine (10) encapsule l'élément semiconducteur (1). Une partie de l'ailette de refroidissement (9) fait saillie par rapport à une surface inférieure de la résine (10). Un radiateur (11) possède une ouverture (12). L'ailette de refroidissement (9) faisant saillie par rapport à la résine (10) est insérée dans l'ouverture (12) du radiateur (11). La surface inférieure de la résine (10) et le radiateur (11) sont collés l'un à l'autre à l'aide d'un matériau de liaison (3), tel qu'un adhésif. En conséquence, tout en réduisant le nombre des éléments et leur poids, une conductivité thermique et une résistance de liaison satisfaisantes sont obtenues.
(JA) 半導体素子1の下面に冷却フィン9が接合されている。樹脂10が半導体素子1を封止する。樹脂10の下面から冷却フィン9の一部が突出している。冷却器11は、開口12を有する。樹脂10から突出した冷却フィン9が冷却器11の開口12に挿入されている。樹脂10の下面と冷却器11が、接着材などの接合材13により接合されている。これにより、部品点数削減・軽量化を実現しつつ、熱伝導性と接合強度の両立を図ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)