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1. WO2013121493 - 半導体処理システム、半導体装置の製造方法、装置データ収集方法、制御プログラムおよび可読記憶媒体

公開番号 WO/2013/121493
公開日 22.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/007962
国際出願日 13.12.2012
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
C23C 16/52 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
52被覆工程の制御または調整
G05B 19/418 2006.01
G物理学
05制御;調整
B制御系または調整系一般;このような系の機能要素;このような系または要素の監視または試験装置
19プログラム制御系
02電気式
418総合的工場管理,すなわち,複数の機械の集中管理,例.直接または分散数値制御(DNC),フレキシブルマニュファクチャリングシステム(FMS),インテグレーテッドマニュファクチャリングシステム(IMS),コンピュータインテグレーテッドマニュファクチャリング(CIM)
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
CPC
C23C 16/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
52Controlling or regulating the coating process
Y02P 90/02
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
90Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 尾藤 史好 OFUJI, Fumiyoshi
代理人
  • 山本 秀策 YAMAMOTO, Shusaku
優先権情報
2012-03317917.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, DEVICE DATA COLLECTING METHOD, CONTROL PROGRAM, AND READABLE STORAGE MEDIUM
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE COLLECTE DE DONNÉES, PROGRAMME DE COMMANDE ET SUPPORT DE STOCKAGE POUVANT ÊTRE LU PAR UN ORDINATEUR
(JA) 半導体処理システム、半導体装置の製造方法、装置データ収集方法、制御プログラムおよび可読記憶媒体
要約
(EN)
[Problem] To efficiently extract the feature values of steps and to precisely and easily extract the feature values of steps even if there has been any recipe change such as step addition/deletion or the like. [Solution] There are included: a semiconductor processing unit (3) that performs a film formation on a processing condition that has been established; a device status data collecting unit (4) that collects device status data from the semiconductor processing unit (3); and a data analyzing unit (5) that extracts predetermined feature values and performs a data analysis on the basis of the device status data that matches a condition definition file used as section definition information in which one or more compilation sections have been individually established for a plurality of steps on the processing recipe of the semiconductor processing unit (3).
(FR)
[Problème] Extraire efficacement les valeurs caractéristiques des étapes et extraire de manière précise et facilement les valeurs caractéristiques des étapes même s'il y a eu un changement de recette comme l'addition/la suppression d'étapes ou analogue. [Solution] L'invention concerne une unité de traitement de semi-conducteurs (3) qui forme un film selon une condition de traitement qui a été établie; une unité de collecte de données d'état du dispositif (4) qui collecte des données d'état du dispositif provenant de l'unité de traitement de semi-conducteurs (3); et une unité d'analyse de données (5) qui extrait des valeurs caractéristiques prédéterminées et effectue une analyse de données sur la base des données d'état de dispositif qui correspond à un fichier de définition de condition utilisé comme informations de définition de section dans lequel une ou plusieurs sections de compilation ont été individuellement établies pour une pluralité d'étapes sur la recette de traitement de l'unité de traitement de semi-conducteurs (3).
(JA)
【課題】効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップ追加/削除などのレシピ変更があった場合であっても、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出する。 【解決手段】設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部3と、半導体処理部3からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部4と、半導体処理部3の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイルと一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部5とを有している。
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