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1. WO2013118645 - 基板加工方法及び基板加工装置

公開番号 WO/2013/118645
公開日 15.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/052322
国際出願日 01.02.2013
IPC
B23K 26/40 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
40材料の性質を考慮したもの
B23K 26/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/04 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
04レーザービームの自動軸合せ,自動照準,または自動焦点合せ,例.後散乱光を用いるもの
B23K 26/06 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
06レーザービームの成形,例.マスクまたは多焦点合せによるもの
B23K 26/08 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
08レーザービームと加工物とが相対移動する装置
B23K 26/38 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
38穴あけまたは切断
CPC
B23K 2101/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2101Articles made by soldering, welding or cutting
36Electric or electronic devices
40Semiconductor devices
B23K 2103/52
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
52Ceramics
B23K 26/0006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
0006taking account of the properties of the material involved
B23K 26/046
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
04Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
046Automatically focusing the laser beam
B23K 26/0622
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
062by direct control of the laser beam
0622by shaping pulses
B23K 26/0648
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
064by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
0648comprising lenses
出願人
  • 信越ポリマー株式会社 SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 国立大学法人埼玉大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SAITAMA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 国司 洋介 KUNISHI, Yosuke
  • 鈴木 秀樹 SUZUKI, Hideki
  • 松尾 利香 MATSUO, Rika
  • 池野 順一 IKENO, Junichi
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu
優先権情報
2012-02333306.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板加工方法及び基板加工装置
要約
(EN)
The present invention secures the product rate and provides thin silicon substrates. The device: comprises a laser light source (150), a laser-focusing unit (160) that irradiates laser light (190) from the laser light source (150) toward the surface (101) of a substrate (10) and focuses the laser light in the interior of the substrate (10), and a positioning means that contactlessly disposes the laser-focusing unit (160) above the substrate (10); and forms a modified layer (14) inside the substrate (10) by moving the laser-focusing unit (160) relative to the substrate (10). The device is configured so that the laser-focusing unit (160) focuses the laser light (190) symmetrically around the optical axis and, inside the substrate (10), the laser-focusing unit (160) causes light impinging on the outer circumference of the laser-focusing unit (160) to converge more than light impinging on the inner circumference of the laser-focusing unit (160).
(FR)
La présente invention fixe le débit de produit et fournit des substrats minces de silicium. Le dispositif comprend : une source (150) de lumière laser, une unité (160) de focalisation de laser qui irradie une lumière laser (190) à partir de la source (150) de lumière laser vers la surface (101) d'un substrat (10) et focalise la lumière laser dans l'intérieur du substrat (10), et un moyen de positionnement qui dispose sans contact l'unité (160) de focalisation de laser au-dessus du substrat (10) ; et le dispositif forme une couche modifiée (14) à l'intérieur du substrat (10) en déplaçant l'unité (160) de focalisation de laser par rapport au substrat (10). Le dispositif est configuré de telle sorte que l'unité (160) de focalisation de laser focalise la lumière laser (190) de manière symétrique autour de l'axe optique et, à l'intérieur du substrat (10), l'unité (160) de focalisation de laser amène une lumière incidente sur la circonférence extérieure de l'unité (160) de focalisation de laser à converger plus que la lumière incidente sur la circonférence intérieure de l' unité (160) de focalisation de laser.
(JA)
 薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。レーザ光源150と、レーザ光源150からのレーザ光190を基板10の表面101に向けて照射し、基板10内部にレーザ光を集光するレーザ集光部160と、レーザ集光部160を基板10上に非接触に配置する位置決め手段とを有し、レーザ集光部160と基板10を相対的に移動させて、基板10内部に改質層14を形成するものであって、レーザ集光部160は、レーザ光190を光軸に軸対称に集光するとともに、基板10内部において、レーザ集光部160の外周部に入射した光が、レーザ集光部160の内周部に入射した光より、レーザ集光部160で集光するように構成されている。
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