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1. WO2013118543 - 表面計測装置

公開番号 WO/2013/118543
公開日 15.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/050618
国際出願日 16.01.2013
IPC
G01B 11/30 2006.01
G物理学
01測定;試験
B長さ,厚さまたは同種の直線寸法の測定;角度の測定;面積の測定;表面または輪郭の不規則性の測定
11光学的手段の使用によって特徴づけられた測定装置
30表面の粗さまたは不規則性測定用
G01N 21/956 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01B 11/303
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
30for measuring roughness or irregularity of surfaces
303using photoelectric detection means
G01N 2033/0095
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
0095Semiconductive materials
G01N 21/55
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
55Specular reflectivity
G01N 21/8851
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
G01N 33/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
出願人
  • 株式会社 日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 伊東 昌昭 ITO Masaaki
  • 神宮 孝広 JINGU Takahiro
  • 近藤 貴則 KONDO Takanori
代理人
  • 井上 学 INOUE Manabu
優先権情報
2012-02567809.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SURFACE MEASUREMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE SURFACE
(JA) 表面計測装置
要約
(EN)
The following points have not been taken into account in related art pertaining to surface measurement and defect inspection: (1) the roughness of space frequency notches; (2) a change in a detection signal which is caused by microroughness anisotropy; and (3) a change in a background signal which is caused by the microroughness anisotropy. The present invention is characterized by obtaining a feature quantity relating to the microroughness anisotropy of a substrate surface. Additionally, the present invention is characterized by obtaining a surface state, taking into account the microroughness anisotropy of the substrate surface. The present invention is further characterized by detecting defects in the surface, taking into account the microroughness anisotropy of the substrate surface.
(FR)
Les points suivants n'ont pas été pris en compte dans l'art connexe, se rapportant à une mesure de surface et à l'inspection des défauts : (1) la rugosité des encoches espace-fréquence ; (2) un changement dans un signal de détection qui est provoqué par une anisotropie de microrugosité ; et (3) un changement dans un signal d'arrière-plan qui est provoqué par l'anisotropie de microrugosité. La présente invention est caractérisée par l'obtention d'une quantité caractéristique relative à l'anisotropie de microrugosité d'une surface de substrat. En outre, la présente invention est caractérisée par l'obtention d'un état de surface, en prenant en compte l'anisotropie de microrugosité de la surface du substrat. La présente invention est en outre caractérisée par la détection de défauts dans la surface, en prenant en compte l'anisotropie de microrugosité de la surface du substrat.
(JA)
 表面計測、欠陥検査における従来技術では以下の点に配慮がなされていない。(1)空間周波数の刻みの粗さ(2)マイクロラフネスの異方性に起因する検出信号の変化(3)マイクロラフネスの異方性に起因する背景信号の変化。本発明は、基板表面のマイクロラフネスの異方性に関する特徴量を得ることを特徴とする。さらに、本発明は、基板表面のマイクロラフネスの異方性を考慮して表面の状態を得ることを特徴とする。さらに、本発明は、基板表面のマイクロラフネスの異方性を考慮して表面の欠陥を検出することを特徴とする。
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