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1. WO2013118536 - 処理方法及び処理装置

公開番号 WO/2013/118536
公開日 15.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/050468
国際出願日 11.01.2013
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B23K 26/18 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
18加工物に吸収層を設けるもの,例.対象物をマーキングまたは保護するためのもの
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
CPC
B32B 2307/748
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2307Properties of the layers or laminate
70Other properties
748Releasability
B32B 38/10
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
38Ancillary operations in connection with laminating processes
10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
B32B 43/006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
43Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
006Delaminating
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/31111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
H01L 21/31133
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
出願人
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 稲尾 吉浩 INAO, Yoshihiro
  • 楫間 淳生 KAJIMA, Atsuo
  • 長谷川 琢磨 HASEGAWA, Takuma
  • 田村 弘毅 TAMURA, Koki
  • 横井 滋 YOKOI, Shigeru
代理人
  • 特許業務法人原謙三国際特許事務所 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
2012-02447207.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESSING METHOD AND PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ET APPAREIL DE TRAITEMENT
(JA) 処理方法及び処理装置
要約
(EN)
This processing method includes: an isolation layer removing step wherein an isolation layer (11) of a laminated body is modified by irradiating the isolation layer with light, said laminated body being configured by laminating a wafer (1), an adhesive layer (10), the isolation layer (11) and a supporting body in this order, and after removing the supporting body from the laminated body, a peeling liquid for removing the isolation layer (11) is applied to the isolation layer (11), and the isolation layer (11) is removed; and an adhesive layer melting step wherein the adhesive layer (10) is melted by applying a melting liquid that melts the adhesive layer (10) to the adhesive layer (10).
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement comprenant : une étape de retrait d'une couche d'isolation au cours de laquelle une couche d'isolation (11) d'un corps stratifié est modifiée par l'exposition de la couche d'isolation à de la lumière, ledit corps stratifié étant configuré par la stratification d'une tranche (1), d'une couche adhésive (10), de la couche d'isolation (11) et d'un corps de support dans cet ordre, et, après avoir retiré le corps de support du corps stratifié, un liquide de décollement permettant de retirer la couche d'isolation (11) est appliqué sur la couche d'isolation (11), et la couche d'isolation (11) est retirée ; et une étape de fusion de la couche adhésive au cours de laquelle la couche adhésive (10) est fondue par application, sur la couche adhésive (10), d'un liquide de fusion faisant fondre la couche adhésive (10).
(JA)
 ウエハ(1)と、接着層(10)と、分離層(11)と、支持体とをこの順番に積層してなる積層体の、分離層(11)に光を照射して変質させ、積層体から支持体を除去した後に、分離層(11)を除去する剥離液を分離層(11)に塗布して、分離層(11)を除去する分離層除去工程と、接着層(10)を溶解する溶解液を接着層(10)に塗布して、接着層(10)を溶解させる接着層溶解工程とを含んでいる。
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