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1. (WO2013118521) レベル変換回路、およびレベル変換機能付き論理回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/118521    国際出願番号:    PCT/JP2013/050158
国際公開日: 15.08.2013 国際出願日: 09.01.2013
IPC:
H03K 19/0185 (2006.01)
出願人: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
発明者: TOKUDA, Masamichi; (JP)
代理人: KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
優先権情報:
2012-024202 07.02.2012 JP
発明の名称: (EN) LEVEL CONVERSION CIRCUIT AND LOGIC CIRCUIT WITH LEVEL CONVERSION FUNCTION
(FR) CIRCUIT DE CONVERSION DE NIVEAU ET CIRCUIT LOGIQUE À FONCTION DE CONVERSION DE NIVEAU
(JA) レベル変換回路、およびレベル変換機能付き論理回路
要約: front page image
(EN)A level conversion circuit (10) is equipped with an EFET (11), a diode (12) and resistors (13, 14). The drain of the EFET (11) is connected to an output terminal of the level conversion circuit (10). The drain and gate of the EFET (11) are conductive. The source of the EFET (11) is grounded via the resistor (13). The drain of the EFET (11) is connected to one end of the resister (14). The other end of the resistor (14) is connected to the cathode of the diode (12). The anode of the diode (12) is connected to a voltage input terminal for control.
(FR)Cette invention concerne un circuit de conversion de niveau (10), comprenant un transistor EFET (11), une diode (12) et des résistances (13, 14). Le drain du transistor EFET (11) est relié à une borne de sortie du circuit de conversion de niveau (10). Le drain et la grille du transistor EFT (11) sont conducteurs. La source du transistor EFET (11) est mise à la masse par l'intermédiaire de la résistance (13). Le drain du transistor EFET (11) est relié à une extrémité de la résistance (14). L'autre extrémité de la résistance (14) est reliée à la cathode de la diode (12). L'anode de la diode (12) est reliée à une borne d'entrée de tension à des fins de régulation.
(JA)レベル変換回路(10)は、EFET(11)、ダイオード(12)、抵抗器(13,14)を備える。EFET(11)のドレインは、レベル変換回路(10)の出力端子に接続されている。EFET(11)のドレインとゲートは導通されている。EFET(11)のソースは、抵抗器(13)を介して接地されている。EFET(11)のドレインは、抵抗器(14)の一方端に接続されている。抵抗器(14)の他方端は、ダイオード(12)のカソードに接続されている。ダイオード(12)のアノードは制御用の電圧入力端子に接続されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)