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1. WO2013118520 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

公開番号 WO/2013/118520
公開日 15.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/050055
国際出願日 08.01.2013
IPC
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/318 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
318窒化物からなるもの
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
H01J 37/32201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32201Generating means
H01J 37/32238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32211Means for coupling power to the plasma
32238Windows
H01J 37/32266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32266Means for controlling power transmitted to the plasma
H01J 37/32311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
32311Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/0217
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
0217the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 塩澤 俊彦 SHIOZAWA Toshihiko
  • 宮原 準弥 MIYAHARA Junya
  • 藤野 豊 FUJINO Yutaka
代理人
  • 渡邊 和浩 WATANABE Kazuhiro
優先権情報
2012-02303806.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA TREATMENT METHOD AND PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
要約
(EN)
Using a plasma treatment device of a design whereby a plurality of microwaves are introduced into a treatment receptacle and a plasma is generated, the plasma is generated such that the total power of the plurality of microwaves is 1 W/cm2 or less per unit surface area of a wafer (W). For example, in a plasma oxidation treatment, employing an oxygen-containing gas and a noble gas for plasma generation, the treatment temperature is set to 100ºC or below, and the average oxidation rate during the 30 seconds following the outset of supply of microwaves to 0.03 nm/sec or less. In preferred practice, impedance matching takes placed when the wafer (W) is treated by the plasma, rather than impedance matching taking place when a plasma is ignited by the microwaves.
(FR)
Au moyen d'un dispositif de traitement au plasma permettant d'introduire une pluralité de micro-ondes dans un réceptacle de traitement et de produire un plasma, le plasma est produit de telle sorte que la puissance totale de la pluralité de micro-ondes est inférieure ou égale à 1 W/cm2 par unité de surface d'une tranche (W). Par exemple, dans un traitement d'oxydation au plasma, utilisant un gaz contenant de l'oxygène et un gaz noble pour la production de plasma, la température de traitement est réglée pour être inférieure ou égale à 100 °C, et la vitesse d'oxydation moyenne pendant les 30 secondes suivant le début de l'apport en micro-ondes est inférieure ou égale à 0,03 nm/sec. Dans un mode de réalisation préféré, l'adaptation d'impédance a plutôt lieu lorsque la tranche (W) est traitée par le plasma que lorsqu'un plasma est allumé par les micro-ondes.
(JA)
 処理容器内に複数のマイクロ波を導入し、プラズマを生成させる方式のプラズマ処理装置を用い、複数のマイクロ波のパワーの合計をウエハWの面積当たり1W/cm以下にしてプラズマを生成させる。例えば、プラズマ酸化処理では、プラズマ生成用の希ガスと酸素含有ガスを用い、処理温度を100℃以下、マイクロ波の供給開始から30秒間における平均酸化レートを0.03nm/秒以下とする。複数のマイクロ波によりプラズマを着火するときにはインピーダンス整合を行わず、プラズマによりウエハWを処理するときにインピーダンス整合を行うことが好ましい。
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