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World Intellectual Property Organization
1. (WO2013118248) 発光素子

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/118248    国際出願番号:    PCT/JP2012/052642
国際公開日: 15.08.2013 国際出願日: 06.02.2012
H01L 33/34 (2010.01), H01S 5/32 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANI Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODA Katsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANI Kazuki; (JP).
SAITO Shinichi; (JP).
ODA Katsuya; (JP)
代理人: POLAIRE I.P.C.; 7-1, Hatchobori 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040032 (JP)
(JA) 発光素子
要約: front page image
(EN)In order to provide a light-emitting element that efficiently injects electrons into a Ge light emission layer and is capable of high-efficiency light emission, the light-emitting element has: a monocrystalline Si barrier layer (3) formed upon an insulating film (2) and machined to a size whereby a quantum confinement effect is manifested; a p-type diffusion layer electrode (5) and an n-type diffusion layer electrode (6) provided at each end of the barrier layer (3), respectively; and a monocrystalline Ge light emission section (9) provided upon the barrier layer (3) between the electrodes (5, 6). At least part of the current flowing between the electrodes (5, 6) flows inside the barrier layer (3), horizontal to a substrate (1).
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent qui injecte efficacement des électrons dans une couche électroluminescente de Ge et qui est apte à émission lumineuse extrêmement efficace, comprenant : une couche barrière de Si monocristallin (3) formée sur un film isolant (2) et usinée pour atteindre une taille à laquelle un effet de confinement quantique peut être observé ; une électrode de couche de diffusion de type p (5) et une électrode de couche de diffusion de type n (6) placées à chaque extrémité de la couche barrière (3), respectivement ; et une section d'émission lumineuse de Ge monocristallin (9) placée sur la couche barrière (3) entre les électrodes (5, 6). Au moins une partie du courant qui circule entre les électrodes (5, 6) traverse la couche barrière (3) horizontalement à un substrat (1).
(JA) Ge発光層に電子を効率良く注入し、高効率で発光可能な発光素子を提供するために、絶縁膜2上に形成され、量子閉じ込め効果が発現するサイズに加工された単結晶Siのバリア層3と、バリア層3の両端にそれぞれ設けられたp型拡散層電極5とn型拡散層電極6と、電極5、6の間のバリア層3上に設けられた単結晶Ge発光部9とを有し、電極5、6の間に流れる電流の少なくとも一部は、バリア層3内を基板1に対して水平方向に流れる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)