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1. (WO2013118234) 薄膜半導体装置の製造方法及び薄膜半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/118234    国際出願番号:    PCT/JP2012/008462
国際公開日: 15.08.2013 国際出願日: 28.12.2012
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP)
発明者: KANEGAE, Arinobu; .
NISHIDA, Kenichirou;
代理人: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2012-023514 06.02.2012 JP
発明の名称: (EN) THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR À FILM MINCE ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR À FILM MINCE
(JA) 薄膜半導体装置の製造方法及び薄膜半導体装置
要約: front page image
(EN)This thin film semiconductor device (100) has two thin film transistors (100a and 100b). The thin film transistor (100a) is provided with a first gate electrode (111a), a first gate insulation layer (112), a first semiconductor film (113a), an intrinsic semiconductor layer (114a), a first n-type contact layer (116a and 116b) formed contacting the top part of the intrinsic semiconductor layer (114a), a first source electrode (120a) and a first drain electrode (120b). The thin film transistor (100b) is provided with a second gate electrode (111b), a second gate insulation layer (112), a second semiconductor film (113b), an intrinsic semiconductor layer (114b), a second p-type contact layer (117b and 117c) formed contacting the lateral surface of the semiconductor film (113b) and intrinsic semiconductor layer (114b), a second source electrode (120c) and a second drain electrode (120d).
(FR)La présente invention concerne un dispositif (100) à semiconducteur à film mince comprenant deux transistors (100a et 100b) à film mince. Le transistor (100a) à film mince est muni d'une première électrode (111a) de grille, d'une première couche (112) d'isolation de grille, d'un premier film (113a) de semiconducteur, d'une couche (114a) de semiconducteur intrinsèque, d'une première couche (116a et 116b) de contact de type n formée au contact de la partie supérieure de la couche (114a) de semiconducteur intrinsèque, d'une première électrode (120a) de source et d'une première électrode (120b) de drain. Le transistor (100b) à film mince est muni d'une deuxième électrode (111b) de grille, d'une deuxième couche (112) d'isolation de grille, d'un deuxième film (113b) de semiconducteur, d'une couche (114b) de semiconducteur intrinsèque, d'une deuxième couche (117b et 117c) de contact de type p formée au contact de la surface latérale du film (113b) de semiconducteur et de la couche (114b) de semiconducteur intrinsèque, d'une deuxième électrode (120c) de source et d'une deuxième électrode (120d) de drain.
(JA) 2つの薄膜トランジスタ部(100a及び100b)を有する薄膜半導体装置(100)であって、薄膜トランジスタ部(100a)は、第1のゲート電極(111a)と、第1のゲート絶縁膜(112)と、第1の半導体膜(113a)と、真性半導体層(114a)と、真性半導体層(114a)の上方の一部に接して形成されたn型の第1のコンタクト層(116a及び116b)と、第1のソース電極(120a)と、第1のドレイン電極(120b)とを備え、薄膜トランジスタ部(100b)は、第2のゲート電極(111b)と、第2のゲート絶縁膜(112)と、第2の半導体膜(113b)と、真性半導体層(114b)と、半導体膜(113b)及び真性半導体層(114b)の側面の一部に接して形成されたp型の第2のコンタクト層(117b及び117c)と、第2のソース電極(120c)と、第2のドレイン電極(120d)とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)