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1. WO2013115352 - 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法

公開番号 WO/2013/115352
公開日 08.08.2013
国際出願番号 PCT/JP2013/052326
国際出願日 01.02.2013
IPC
B23K 26/40 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
40材料の性質を考慮したもの
B23K 26/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/04 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
04レーザービームの自動軸合せ,自動照準,または自動焦点合せ,例.後散乱光を用いるもの
B23K 26/06 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
06レーザービームの成形,例.マスクまたは多焦点合せによるもの
B23K 26/38 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
36材料の除去
38穴あけまたは切断
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
CPC
B23K 2103/172
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
16Composite materials ; , e.g. fibre reinforced
166Multilayered materials
172wherein at least one of the layers is non-metallic
B23K 2103/50
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02B23K2103/26
B23K 26/0617
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
0604by a combination of beams
0613having a common axis
0617and with spots spaced along the common axis
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
B23K 26/53
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
B28D 5/0011
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
5Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
0005by breaking, e.g. dicing
0011with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
出願人
  • 信越ポリマー株式会社 SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 国立大学法人埼玉大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SAITAMA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 松尾 利香 MATSUO, Rika
  • 鈴木 秀樹 SUZUKI, Hideki
  • 国司 洋介 KUNISHI, Yosuke
  • 池野 順一 IKENO, Junichi
代理人
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu
優先権情報
2012-02022201.02.2012JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRODUCTION METHOD FOR MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE, MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE, AND PRODUCTION METHOD FOR MONOCRYSTALLINE MEMBER HAVING MODIFIED LAYER FORMED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR SUBSTRAT MONOCRISTALLIN, SUBSTRAT MONOCRISTALLIN ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR ÉLÉMENT MONOCRISTALLIN PRÉSENTANT UNE FORME MODIFIÉE FORMÉE À L'INTÉRIEUR DE CELUI-CI
(JA) 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a production method for a monocrystalline substrate, the monocrystalline substrate, and a production method for a monocrystalline member having a modified layer formed therein, that are capable of having a surface roughness (Ra) for a peeled surface of the monocrystalline substrate of less than 1, when a relatively large and thin monocrystalline substrate is formed by peeling same from the modified layer formed in the monocrystalline member. A first step is performed in which a condenser lens (15) is formed in a non-contact manner upon the monocrystalline member (10); a second step is performed in which a laser light (B) is condensed inside the monocrystalline member, the condenser lens (15) and the monocrystalline member (10) are moved relatively, and a two-dimensional modified layer (12) is formed inside the monocrystalline member; and a third step is performed in which the monocrystalline substrate is formed by peeling the monocrystalline layer, configured by being separated by the modified layer (12), from the modified layer (12). The irradiation conditions for the laser light are adjusted in the second step, so that the surface roughness (Ra) of the peeled surface of the monocrystalline substrate formed in the third step is less than 1.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production pour un substrat monocristallin, le substrat monocristallin et un procédé de production pour un élément monocristallin présentant une forme modifiée formée à l'intérieur de celui-ci pouvant présenter une rugosité de surface (Ra) pour une surface décollée du substrat monocristallin inférieure à 1 lorsqu'un substrat monocristallin relativement grand et fin est formé en décollant celui-ci de la couche modifiée formée dans l'élément monocristallin. Une première étape est réalisée, dans laquelle une lentille de condenseur (15) est formée sans contact sur l'élément monocristallin (10) ; une deuxième étape est réalisée, dans laquelle une lumière laser (B) est condensée à l'intérieur de l'élément monocristallin, la lentille de condenseur (15) et l'élément monocristallin (10) sont déplacés l'un par rapport à l'autre et une couche modifiée bidimensionnelle (12) est formée à l'intérieur de l'élément monocristallin ; et une troisième étape est réalisée, dans laquelle le substrat monocristallin est formé en décollant la couche monocristalline, conçue en étant séparée par la couche modifiée (12), de la couche modifiée (12). Les conditions de rayonnement pour la lumière laser sont réglées dans la deuxième étape de sorte que la rugosité de surface (Ra) de la surface décollée du substrat monocristallin formé dans la troisième étape soit inférieure à 1.
(JA)
 単結晶部材に形成した改質層から剥離させることで比較的大きくて薄い単結晶基板を形成した際、単結晶基板の剥離面の表面粗さRaを1未満にすることができる単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法を提供することを課題とする。単結晶部材(10)上に非接触に集光レンズ(15)を配置する第1工程と、単結晶部材内部にレーザ光(B)を集光するとともに、集光レンズ(15)と単結晶部材(10)とを相対的に移動させて、単結晶部材内部に2次元状の改質層(12)を形成する第2工程と、改質層(12)により分断されてなる単結晶層を改質層(12)から剥離することで単結晶基板を形成する第3工程と、を行う。その際、第3工程で形成した単結晶基板の剥離面の表面粗さRaが1未満となるように、第2工程でレーザ光の照射条件を調整する。
他の公開
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